发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
7期
811-815
,共5页
李炳生%SHEN Ai-dong
李炳生%SHEN Ai-dong
리병생%SHEN Ai-dong
分子束外延%Ⅱ-Ⅵ族量子阱%闪锌矿MgSe%能带带阶
分子束外延%Ⅱ-Ⅵ族量子阱%閃鋅礦MgSe%能帶帶階
분자속외연%Ⅱ-Ⅵ족양자정%섬자광MgSe%능대대계
molecular beam epitaxy%Ⅱ-Ⅵ quantum wells%zincblende MgSe%band offset
采用分子束外延技术在(001)取向的InP衬底上外延生长了亚稳态的ZnxCd1-xSe/MgSe低维量子阱结构,并通过光致发光和子带吸收方法,分析其能带结构.在单量子阱样品制备过程中,高能电子衍射强度振荡表明MgSe可以实现二维生长模式,衍射图样证明其为亚稳态闪锌矿结构.通过引入厚的ZnxCd1-xSe空间层,抑制了MgSe垒层的相变,并能进一步提高样品的结晶质量,得到高结晶质量的多量子阱结构.通过计算不同阱宽的能带与光致发光实验比较,证明了ZnxCd1-xSe/MgSe的导带带阶为1.2 eV,价带带阶为0.27 eV.为了进一步验证其能带结构,制备了电子掺杂的ZnxCd1-xSe/MgSe的多量子阱,观测到半高宽很窄的中红外吸收.利用发光谱确定的带阶计算了量子阱中子带的吸收波长,和实验结果非常吻合.设计了一种双量子阱结构,计算结果显示,通过利用量子阱中的耦合效应,可以实现1.55.μm光通信波段的吸收.
採用分子束外延技術在(001)取嚮的InP襯底上外延生長瞭亞穩態的ZnxCd1-xSe/MgSe低維量子阱結構,併通過光緻髮光和子帶吸收方法,分析其能帶結構.在單量子阱樣品製備過程中,高能電子衍射彊度振盪錶明MgSe可以實現二維生長模式,衍射圖樣證明其為亞穩態閃鋅礦結構.通過引入厚的ZnxCd1-xSe空間層,抑製瞭MgSe壘層的相變,併能進一步提高樣品的結晶質量,得到高結晶質量的多量子阱結構.通過計算不同阱寬的能帶與光緻髮光實驗比較,證明瞭ZnxCd1-xSe/MgSe的導帶帶階為1.2 eV,價帶帶階為0.27 eV.為瞭進一步驗證其能帶結構,製備瞭電子摻雜的ZnxCd1-xSe/MgSe的多量子阱,觀測到半高寬很窄的中紅外吸收.利用髮光譜確定的帶階計算瞭量子阱中子帶的吸收波長,和實驗結果非常吻閤.設計瞭一種雙量子阱結構,計算結果顯示,通過利用量子阱中的耦閤效應,可以實現1.55.μm光通信波段的吸收.
채용분자속외연기술재(001)취향적InP츤저상외연생장료아은태적ZnxCd1-xSe/MgSe저유양자정결구,병통과광치발광화자대흡수방법,분석기능대결구.재단양자정양품제비과정중,고능전자연사강도진탕표명MgSe가이실현이유생장모식,연사도양증명기위아은태섬자광결구.통과인입후적ZnxCd1-xSe공간층,억제료MgSe루층적상변,병능진일보제고양품적결정질량,득도고결정질량적다양자정결구.통과계산불동정관적능대여광치발광실험비교,증명료ZnxCd1-xSe/MgSe적도대대계위1.2 eV,개대대계위0.27 eV.위료진일보험증기능대결구,제비료전자참잡적ZnxCd1-xSe/MgSe적다양자정,관측도반고관흔착적중홍외흡수.이용발광보학정적대계계산료양자정중자대적흡수파장,화실험결과비상문합.설계료일충쌍양자정결구,계산결과현시,통과이용양자정중적우합효응,가이실현1.55.μm광통신파단적흡수.
