科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2014年
21期
234-238
,共5页
张志浩%施永明%王俊%马斌
張誌浩%施永明%王俊%馬斌
장지호%시영명%왕준%마빈
四探针%Rymaszewski法%高温%薄膜%多晶硅%Pt%电阻温度系数
四探針%Rymaszewski法%高溫%薄膜%多晶硅%Pt%電阻溫度繫數
사탐침%Rymaszewski법%고온%박막%다정규%Pt%전조온도계수
four-point probe method%Rymaszewski%high temperature%poly-silicon%Pt%TCR
介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足.制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性.
介紹瞭Rymaszewski四探針法測薄膜方塊電阻原理,設計併搭建瞭可測室溫到550℃的四探針測試儀.該繫統可在保護氣體下變溫測量薄層電阻,瀰補瞭四探針法在較高溫度測量薄膜電阻率的不足.製備併測試瞭多晶硅及鉑薄膜的電阻溫度特性,用多項式擬閤瞭在該溫度範圍內電阻溫度繫數,併分析瞭方法可靠性.
개소료Rymaszewski사탐침법측박막방괴전조원리,설계병탑건료가측실온도550℃적사탐침측시의.해계통가재보호기체하변온측량박층전조,미보료사탐침법재교고온도측량박막전조솔적불족.제비병측시료다정규급박박막적전조온도특성,용다항식의합료재해온도범위내전조온도계수,병분석료방법가고성.
