功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
13期
1859-1862
,共4页
孙乃坤%杜宝盛%高印博%柳峰%蔡宗岐%赵美星
孫迺坤%杜寶盛%高印博%柳峰%蔡宗岐%趙美星
손내곤%두보성%고인박%류봉%채종기%조미성
脉冲激光沉积%Cr3+掺杂的氧化铝薄膜%荧光光谱%真空退火
脈遲激光沉積%Cr3+摻雜的氧化鋁薄膜%熒光光譜%真空退火
맥충격광침적%Cr3+참잡적양화려박막%형광광보%진공퇴화
PLD%Cr3+-doped Al2O3 film%photoluminescence%annealing
用脉冲激光沉积技术在Si(100)基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3％、1％(质量分数)的Cr3+:Al2O3薄膜.制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰.薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形.与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高.这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2+色心浓度提高.薄膜经真空退火后在332、398nm附近的发光峰强度明显增强,这是由于薄膜中氧空位的增加提高了F+、F色心浓度.与此同时,制备态薄膜在386nm附近发光峰经退火后由386nm蓝移至381nm,可归因于退火后制备态薄膜的内应力得到了释放.1％(质量分数)Cr3+掺杂薄膜在646、694nm出现Cr3-离子由4T2能级跃迁至4A2能级及由E能级跃迁至4A2能级产生的荧光发光峰.
用脈遲激光沉積技術在Si(100)基底上製備瞭純Al2O3、摻雜濃度為0.3％、1％(質量分數)的Cr3+:Al2O3薄膜.製備態的薄膜為立方γ-Al2O3結構,經800℃真空條件下退火1h樣品的結晶度有所提高,呈現α-Al2O3相與γ-Al2O3相的衍射峰.薄膜基本保持瞭靶材中原有各元素成分比例,平均粒徑為250nm,形貌為條形.與Al2O3粉體相比,製備態薄膜在386nm處的髮光峰彊度明顯提高.這可歸因于薄膜中氧空位的增加使雙氧空位吸收電子所產生的F2+色心濃度提高.薄膜經真空退火後在332、398nm附近的髮光峰彊度明顯增彊,這是由于薄膜中氧空位的增加提高瞭F+、F色心濃度.與此同時,製備態薄膜在386nm附近髮光峰經退火後由386nm藍移至381nm,可歸因于退火後製備態薄膜的內應力得到瞭釋放.1％(質量分數)Cr3+摻雜薄膜在646、694nm齣現Cr3-離子由4T2能級躍遷至4A2能級及由E能級躍遷至4A2能級產生的熒光髮光峰.
용맥충격광침적기술재Si(100)기저상제비료순Al2O3、참잡농도위0.3％、1％(질량분수)적Cr3+:Al2O3박막.제비태적박막위립방γ-Al2O3결구,경800℃진공조건하퇴화1h양품적결정도유소제고,정현α-Al2O3상여γ-Al2O3상적연사봉.박막기본보지료파재중원유각원소성분비례,평균립경위250nm,형모위조형.여Al2O3분체상비,제비태박막재386nm처적발광봉강도명현제고.저가귀인우박막중양공위적증가사쌍양공위흡수전자소산생적F2+색심농도제고.박막경진공퇴화후재332、398nm부근적발광봉강도명현증강,저시유우박막중양공위적증가제고료F+、F색심농도.여차동시,제비태박막재386nm부근발광봉경퇴화후유386nm람이지381nm,가귀인우퇴화후제비태박막적내응력득도료석방.1％(질량분수)Cr3+참잡박막재646、694nm출현Cr3-리자유4T2능급약천지4A2능급급유E능급약천지4A2능급산생적형광발광봉.
