赣南师范学院学报
贛南師範學院學報
공남사범학원학보
JOURNAL OF GANNAN TEACHERS COLLEGE
2013年
3期
1-3
,共3页
可调光子晶体滤波器%液晶%缺陷模%传输矩阵法
可調光子晶體濾波器%液晶%缺陷模%傳輸矩陣法
가조광자정체려파기%액정%결함모%전수구진법
利用传输矩阵法研究了含液晶一维光子晶体的缺陷模.数值计算了ZnO层厚度或液晶层厚度为固定值,垂直入射光与电场方向间夹角θ为0°、30°、60°和90°时,含液晶一维光子晶体缺陷模的波长随液晶层厚度(或ZnO层厚度)的变化关系.结果表明:当ZnO层厚度为90.8 nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的液晶层厚度范围为139 nm-158 nm；当液晶层厚度为141.7nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的ZnO层厚度范围为88.7 nm-102.3 nm.要得到缺陷模波长为850 nm,垂直入射光与电场方向间夹角θ越小,液晶或ZnO层厚度就越小.
利用傳輸矩陣法研究瞭含液晶一維光子晶體的缺陷模.數值計算瞭ZnO層厚度或液晶層厚度為固定值,垂直入射光與電場方嚮間夾角θ為0°、30°、60°和90°時,含液晶一維光子晶體缺陷模的波長隨液晶層厚度(或ZnO層厚度)的變化關繫.結果錶明:噹ZnO層厚度為90.8 nm定值時,波長為850 nm光通信窗口對應的液晶層厚度範圍為139 nm-158 nm；噹液晶層厚度為141.7nm定值時,波長為850 nm光通信窗口對應的ZnO層厚度範圍為88.7 nm-102.3 nm.要得到缺陷模波長為850 nm,垂直入射光與電場方嚮間夾角θ越小,液晶或ZnO層厚度就越小.
이용전수구진법연구료함액정일유광자정체적결함모.수치계산료ZnO층후도혹액정층후도위고정치,수직입사광여전장방향간협각θ위0°、30°、60°화90°시,함액정일유광자정체결함모적파장수액정층후도(혹ZnO층후도)적변화관계.결과표명:당ZnO층후도위90.8 nm정치시,파장위850 nm광통신창구대응적액정층후도범위위139 nm-158 nm；당액정층후도위141.7nm정치시,파장위850 nm광통신창구대응적ZnO층후도범위위88.7 nm-102.3 nm.요득도결함모파장위850 nm,수직입사광여전장방향간협각θ월소,액정혹ZnO층후도취월소.
