应用于硅通孔的深孔铜电镀工艺优化
응용우규통공적심공동전도공예우화
Optimization for Copper Electrodeposition Process Applied in Through Silicon Via
  • 万方数据
    热加工工艺 열가공공예
    HOT WORKING TECHNOLOGY
    2013年 14期 93-96 ,共4页

    王爱博

    왕애박

    TSV%3D封装%铜电镀 TSV%3D封裝%銅電鍍
    TSV%3D봉장%동전도
    through silicon via (TSV)%3D integration%copper electrodeposition
    对高深宽比(6∶1)深孔的铜电镀工艺进行了大量实验研究,通过调整电镀时间和电流密度,以及优化电镀前后的样品表面处理以及清洗方式,最终得到稳定、高效的电镀工艺方法及良好的镀层质量,其研究结果可在MEMS封装领域中得到广泛应用.
    대고심관비(6∶1)심공적동전도공예진행료대량실험연구,통과조정전도시간화전류밀도,이급우화전도전후적양품표면처리이급청세방식,최종득도은정、고효적전도공예방법급량호적도층질량,기연구결과가재MEMS봉장영역중득도엄범응용.
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