光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2013年
4期
1108-1111
,共4页
等离子体化学气相沉积%GaN%等离子体发射光谱
等離子體化學氣相沉積%GaN%等離子體髮射光譜
등리자체화학기상침적%GaN%등리자체발사광보
对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析.结果表明TMG在等离子体自加热条件下就发生离解,N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主.发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明:当微波功率高于400 W时,亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加,而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少.
對電子迴鏇共振低溫等離子體化學氣相沉積工藝(ECR-PECVD)沉積GaN薄膜過程中的氮氣和三甲基鎵有機金屬氣體(TMG)混閤氣體等離子體髮射光譜進行分析.結果錶明TMG在等離子體自加熱條件下就髮生離解,N2/TMG混閤氣體ECR等離子體主要以Ga氣體粒子和亞穩態氮分子為主.髮射光譜特徵譜線隨微波功率變化分析錶明:噹微波功率高于400 W時,亞穩態氮分子濃度隨著微波功率的增加而增加,而高激髮態氮分子以及氮分子離子濃度卻隨著減少.
대전자회선공진저온등리자체화학기상침적공예(ECR-PECVD)침적GaN박막과정중적담기화삼갑기가유궤금속기체(TMG)혼합기체등리자체발사광보진행분석.결과표명TMG재등리자체자가열조건하취발생리해,N2/TMG혼합기체ECR등리자체주요이Ga기체입자화아은태담분자위주.발사광보특정보선수미파공솔변화분석표명:당미파공솔고우400 W시,아은태담분자농도수착미파공솔적증가이증가,이고격발태담분자이급담분자리자농도각수착감소.
