发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
4期
480-483
,共4页
曹伟伟%朱彦旭%郭伟玲%刘建朋%俞鑫%邓叶%徐晨
曹偉偉%硃彥旭%郭偉玲%劉建朋%俞鑫%鄧葉%徐晨
조위위%주언욱%곽위령%류건붕%유흠%산협%서신
发光二极管(LED)%电流阻挡层(CBL)%光效
髮光二極管(LED)%電流阻擋層(CBL)%光效
발광이겁관(LED)%전류조당층(CBL)%광효
电流阻挡层(CBL)可以改善发光二极管(LED)的发光效率和输出光功率,其形状对电流的阻挡作用有影响.本文通过等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上制备了SiO2薄膜,并腐蚀出不同结构作为电流阻挡层:A组形状与P电极形状相同,B组为Y形CBL,C组为点状CBL.通过对这3组芯片与常规芯片的对比,发现加入CBL对小功率LED的电压特性影响比较小,并且电流阻挡层形状与金属电极形状相同时对光效的提高最大,可以提高14.6％.
電流阻擋層(CBL)可以改善髮光二極管(LED)的髮光效率和輸齣光功率,其形狀對電流的阻擋作用有影響.本文通過等離子體增彊化學氣相沉積設備(PECVD)在InGaN/GaN多量子阱外延片上製備瞭SiO2薄膜,併腐蝕齣不同結構作為電流阻擋層:A組形狀與P電極形狀相同,B組為Y形CBL,C組為點狀CBL.通過對這3組芯片與常規芯片的對比,髮現加入CBL對小功率LED的電壓特性影響比較小,併且電流阻擋層形狀與金屬電極形狀相同時對光效的提高最大,可以提高14.6％.
전류조당층(CBL)가이개선발광이겁관(LED)적발광효솔화수출광공솔,기형상대전류적조당작용유영향.본문통과등리자체증강화학기상침적설비(PECVD)재InGaN/GaN다양자정외연편상제비료SiO2박막,병부식출불동결구작위전류조당층:A조형상여P전겁형상상동,B조위Y형CBL,C조위점상CBL.통과대저3조심편여상규심편적대비,발현가입CBL대소공솔LED적전압특성영향비교소,병차전류조당층형상여금속전겁형상상동시대광효적제고최대,가이제고14.6％.
