光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2013年
3期
699-703
,共5页
陶东言%刘超%尹春海%曾一平
陶東言%劉超%尹春海%曾一平
도동언%류초%윤춘해%증일평
氮化镓%离子注入%稀磁半导体%Raman光谱
氮化鎵%離子註入%稀磁半導體%Raman光譜
담화가%리자주입%희자반도체%Raman광보
对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析.Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670 cm-1等波数的Raman峰,其中293 cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362 cm-1和670 cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关.上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E2(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力.采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A1(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律.
對離子註入法製備的u-,n-和p-GaN∶Er三種類型的薄膜樣品進行瞭Raman光譜分析.Er+註入GaN樣品後新齣現瞭293,362和670 cm-1等波數的Raman峰,其中293 cm-1處的Raman峰被指認為無序激活的Raman散射(DARS),362 cm-1和670 cm-1處的Raman峰可能與離子註入後形成的GaN晶格缺陷有關.上述GaN∶Er樣品在800℃退火前後的E2(high)特徵峰均嚮高頻方嚮移動,錶明薄膜晶格中均存在著壓應力.採用洛倫玆擬閤分析瞭Raman光譜中組成A1(LO)模式峰的未耦閤LO模與等離子體激元耦閤模LPP+在不同樣品中的齣現情況,定性指齣瞭GaN∶Er繫列樣品中載流子濃度的變化規律.
대리자주입법제비적u-,n-화p-GaN∶Er삼충류형적박막양품진행료Raman광보분석.Er+주입GaN양품후신출현료293,362화670 cm-1등파수적Raman봉,기중293 cm-1처적Raman봉피지인위무서격활적Raman산사(DARS),362 cm-1화670 cm-1처적Raman봉가능여리자주입후형성적GaN정격결함유관.상술GaN∶Er양품재800℃퇴화전후적E2(high)특정봉균향고빈방향이동,표명박막정격중균존재착압응력.채용락륜자의합분석료Raman광보중조성A1(LO)모식봉적미우합LO모여등리자체격원우합모LPP+재불동양품중적출현정황,정성지출료GaN∶Er계렬양품중재류자농도적변화규률.
