CAJ | 학술논문

万方数据

太赫兹科学与电子信息学报 태혁자과학여전자신식학보
Information and Electronic Engineering
2013年 4期 536-540 ,共5页

王雪敏%阎大伟%沈昌乐%赵妍%黎维华%周民杰%罗跃川%彭丽萍%吴卫东%唐永建

왕설민%염대위%침창악%조연%려유화%주민걸%라약천%팽려평%오위동%당영건

高电子迁移率晶体管%多层结构%双δ掺杂高電子遷移率晶體管%多層結構%雙δ摻雜
고전자천이솔정체관%다층결구%쌍δ참잡

针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，分析了双δ掺杂 GaAs HEMT的结构组成，基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂 GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用 X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明， HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012 cm-3，电子迁移率大于6520 cm2·V-1·s-1。
침대고전자천이솔정체관(HEMT)기건，분석료쌍δ참잡 GaAs HEMT적결구조성，기우고원분자속외연방법제비료쌍δ참잡 GaAs HEMT적완충층、구도층、평면참잡층화격리층등다층재료결구。채용 X-ray사선연사、투사전경연구료다층재료적결구。범덕보곽이측시결과표명， HEMT적2DEG측시농도위1.82×1012 cm-3，전자천이솔대우6520 cm2·V-1·s-1。