电子世界
電子世界
전자세계
ELECTRONICS WORLD
2014年
7期
98-98,99
,共2页
李彬%方逸裕%刘驯
李彬%方逸裕%劉馴
리빈%방일유%류순
无损封装%划片%上芯%焊线%功率MOSFET器件
無損封裝%劃片%上芯%銲線%功率MOSFET器件
무손봉장%화편%상심%한선%공솔MOSFET기건
本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析，同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析，确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程（划片、上芯、焊线三个环节）的工艺改善及优化，特别是创新的焊线定位装置设计，形成一套新颖有效的工艺流程，提升了MOSFET产品的测试良率。
本文主要介紹功率MOSFET器件無損封裝的研究。通過對封裝過程中可能存在的一些易損傷環節進行瞭分析，同時根據測試髮現不良樣品的信息進行瞭反推解析，確定關鍵技術攻關問題點。該研究主要通過對MOSFET封裝關鍵製程（劃片、上芯、銲線三箇環節）的工藝改善及優化，特彆是創新的銲線定位裝置設計，形成一套新穎有效的工藝流程，提升瞭MOSFET產品的測試良率。
본문주요개소공솔MOSFET기건무손봉장적연구。통과대봉장과정중가능존재적일사역손상배절진행료분석，동시근거측시발현불량양품적신식진행료반추해석，학정관건기술공관문제점。해연구주요통과대MOSFET봉장관건제정（화편、상심、한선삼개배절）적공예개선급우화，특별시창신적한선정위장치설계，형성일투신영유효적공예류정，제승료MOSFET산품적측시량솔。
