电子设计工程
電子設計工程
전자설계공정
ELECTRONIC DESIGN ENGINEERING
2013年
7期
191-193
,共3页
Silvaco%PT-IGBT%N+缓冲层%通态压降%仿真
Silvaco%PT-IGBT%N+緩遲層%通態壓降%倣真
Silvaco%PT-IGBT%N+완충층%통태압강%방진
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要.文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真.提取相同电流密度下,不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降,得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线,该仿真结果与理论分析一致.对于PT-IGBT结构,N+缓冲层浓度及厚度存在最优值,只要合理的选取可以有效地降低通态压降.
N+緩遲層設計對PT-IGBT器件特性的影響至關重要.文中利用Silvaco軟件對PT-IGBT的I-V特性進行倣真.提取相同電流密度下,不同N+緩遲層摻雜濃度PT-IGBT的通態壓降,得到瞭通態壓降隨N+緩遲層摻雜濃度變化的麯線,該倣真結果與理論分析一緻.對于PT-IGBT結構,N+緩遲層濃度及厚度存在最優值,隻要閤理的選取可以有效地降低通態壓降.
N+완충층설계대PT-IGBT기건특성적영향지관중요.문중이용Silvaco연건대PT-IGBT적I-V특성진행방진.제취상동전류밀도하,불동N+완충층참잡농도PT-IGBT적통태압강,득도료통태압강수N+완충층참잡농도변화적곡선,해방진결과여이론분석일치.대우PT-IGBT결구,N+완충층농도급후도존재최우치,지요합리적선취가이유효지강저통태압강.
