计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2013年
6期
943-948
,共6页
柳福提%程艳%羊富彬%程晓洪%陈向荣
柳福提%程豔%羊富彬%程曉洪%陳嚮榮
류복제%정염%양부빈%정효홍%진향영
密度泛函理论%非平衡格林函数%硅纳米结点%电子输运
密度汎函理論%非平衡格林函數%硅納米結點%電子輸運
밀도범함이론%비평형격림함수%규납미결점%전자수운
density functional theory%non-equilibrium green function%silicon nanoscale junctions%electron transport
运用第一性原理密度泛函理论结合非平衡格林函数方法,对3个Si原子构成的直线链耦合在Au(100)面形成的三明治结构的纳米结点的电子输运进行计算.结果得到结点电导随距离的变化,当dz=1.584 nm时,结合能最小,结构最稳定,此时Si-Si键长为0.216 nm,Si-Au键长为0.227 nm,电导为0.729 G0(G0 =2e2/h),其电子传输通道主要由Si原子的px、py轨道电子构成;随着外电压的增大,结点的电导减小,而其Ⅰ-Ⅴ曲线表现出线性特征.
運用第一性原理密度汎函理論結閤非平衡格林函數方法,對3箇Si原子構成的直線鏈耦閤在Au(100)麵形成的三明治結構的納米結點的電子輸運進行計算.結果得到結點電導隨距離的變化,噹dz=1.584 nm時,結閤能最小,結構最穩定,此時Si-Si鍵長為0.216 nm,Si-Au鍵長為0.227 nm,電導為0.729 G0(G0 =2e2/h),其電子傳輸通道主要由Si原子的px、py軌道電子構成;隨著外電壓的增大,結點的電導減小,而其Ⅰ-Ⅴ麯線錶現齣線性特徵.
운용제일성원리밀도범함이론결합비평형격림함수방법,대3개Si원자구성적직선련우합재Au(100)면형성적삼명치결구적납미결점적전자수운진행계산.결과득도결점전도수거리적변화,당dz=1.584 nm시,결합능최소,결구최은정,차시Si-Si건장위0.216 nm,Si-Au건장위0.227 nm,전도위0.729 G0(G0 =2e2/h),기전자전수통도주요유Si원자적px、py궤도전자구성;수착외전압적증대,결점적전도감소,이기Ⅰ-Ⅴ곡선표현출선성특정.