空间电子技术
空間電子技術
공간전자기술
SPACE ELECTRONIC TECHNOLOGY
2013年
3期
28-32
,共5页
崔浩%罗维玲%龚利鸣%胡文宽
崔浩%囉維玲%龔利鳴%鬍文寬
최호%라유령%공리명%호문관
GaN%仿真设计%宽禁带%半导体%功率放大器
GaN%倣真設計%寬禁帶%半導體%功率放大器
GaN%방진설계%관금대%반도체%공솔방대기
GaN%Simulatin design%Wide bandgap%Semiconductor%Power amplifier
氮化镓功率管的宽禁带、高击穿电场等特点,使其非常适合于宽带、高效率功率放大器的研制。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS软件进行了电路仿真设计,并制作了一种S频段GaN功率放大器。文章详述了电路仿真过程,并对设计的GaN功率放大器进行了测试,测试结果表明：设计的放大器在工作频段内输出功率大于41dBm,效率59.9%。
氮化鎵功率管的寬禁帶、高擊穿電場等特點,使其非常適閤于寬帶、高效率功率放大器的研製。為瞭研究GaN功率放大器的特點,使用瞭Agilent ADS軟件進行瞭電路倣真設計,併製作瞭一種S頻段GaN功率放大器。文章詳述瞭電路倣真過程,併對設計的GaN功率放大器進行瞭測試,測試結果錶明：設計的放大器在工作頻段內輸齣功率大于41dBm,效率59.9%。
담화가공솔관적관금대、고격천전장등특점,사기비상괄합우관대、고효솔공솔방대기적연제。위료연구GaN공솔방대기적특점,사용료Agilent ADS연건진행료전로방진설계,병제작료일충S빈단GaN공솔방대기。문장상술료전로방진과정,병대설계적GaN공솔방대기진행료측시,측시결과표명：설계적방대기재공작빈단내수출공솔대우41dBm,효솔59.9%。
Due to the features such as wide bandgap and high electricfield,GaN transistor is very fit to design wide band and high efficiency power amplifier. A S-band GaN power amplifier was designed and fabricated based on the Agilent ADS software to investage the properties of GaN power amplifier. The procedure of simulation design was described in detail,and the power amplifer was tested. The test result shows that the output power is more than 41 dBm,and the power added effi-ciency is 59. 9 percent in working band.
