太阳能
太暘能
태양능
SOLAR ENERGY
2013年
19期
46-49,57
,共5页
CIAS%薄膜太阳电池%真空蒸镀%磁控溅射%墨水涂覆
CIAS%薄膜太暘電池%真空蒸鍍%磁控濺射%墨水塗覆
CIAS%박막태양전지%진공증도%자공천사%묵수도복
Cu(In,Al)Se2 (CIAS)化合物薄膜太阳电池属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物薄膜太阳电池,由同族的Al来替代CuInSe2 (CIS)中的In,及Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)中的Ga和In.具有黄铜矿结构的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体材料可作为吸收层用于光伏电池.用渗入CIS中得到具有黄铜矿结构的CIGS,并且可根据Ga/(In+Ga)调节禁带宽度提高转化效率,但Ga的掺入调节禁带宽有限.以Al替代Ga,不仅可大幅降低成本,同时由于形成CuAlSe2相的能隙为2.7eV,因此调节Al/(In+Al)的比例可更宽泛地调节Cu(In,Al)Se2 (CIAS)能禁带宽度.目前CIAS制备工艺以真空镀膜方法为主,包括真空蒸镀、磁控溅射、脉冲激光等.在非真空方法中,研究者们尝试了电沉积的方法成功制得单相的CIAS吸收层薄膜,而用如丝网印刷等低成本工艺CIAS薄膜尝试还少见报导.本文详细介绍了CIAS制备方法及工艺,并提出CIAS研究的一些建议.
Cu(In,Al)Se2 (CIAS)化閤物薄膜太暘電池屬于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化閤物薄膜太暘電池,由同族的Al來替代CuInSe2 (CIS)中的In,及Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)中的Ga和In.具有黃銅礦結構的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化閤物半導體材料可作為吸收層用于光伏電池.用滲入CIS中得到具有黃銅礦結構的CIGS,併且可根據Ga/(In+Ga)調節禁帶寬度提高轉化效率,但Ga的摻入調節禁帶寬有限.以Al替代Ga,不僅可大幅降低成本,同時由于形成CuAlSe2相的能隙為2.7eV,因此調節Al/(In+Al)的比例可更寬汎地調節Cu(In,Al)Se2 (CIAS)能禁帶寬度.目前CIAS製備工藝以真空鍍膜方法為主,包括真空蒸鍍、磁控濺射、脈遲激光等.在非真空方法中,研究者們嘗試瞭電沉積的方法成功製得單相的CIAS吸收層薄膜,而用如絲網印刷等低成本工藝CIAS薄膜嘗試還少見報導.本文詳細介紹瞭CIAS製備方法及工藝,併提齣CIAS研究的一些建議.
Cu(In,Al)Se2 (CIAS)화합물박막태양전지속우Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2족화합물박막태양전지,유동족적Al래체대CuInSe2 (CIS)중적In,급Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)중적Ga화In.구유황동광결구적Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2족화합물반도체재료가작위흡수층용우광복전지.용삼입CIS중득도구유황동광결구적CIGS,병차가근거Ga/(In+Ga)조절금대관도제고전화효솔,단Ga적참입조절금대관유한.이Al체대Ga,불부가대폭강저성본,동시유우형성CuAlSe2상적능극위2.7eV,인차조절Al/(In+Al)적비례가경관범지조절Cu(In,Al)Se2 (CIAS)능금대관도.목전CIAS제비공예이진공도막방법위주,포괄진공증도、자공천사、맥충격광등.재비진공방법중,연구자문상시료전침적적방법성공제득단상적CIAS흡수층박막,이용여사망인쇄등저성본공예CIAS박막상시환소견보도.본문상세개소료CIAS제비방법급공예,병제출CIAS연구적일사건의.
