河北科技大学学报
河北科技大學學報
하북과기대학학보
JOURNAL OF THE HEBEI UNIVERSITY OF SCIENCE AND ECHNOLOGY
2013年
4期
308-312,349
,共6页
静电放电%半导体器件%损伤%模式%物理机理
靜電放電%半導體器件%損傷%模式%物理機理
정전방전%반도체기건%손상%모식%물리궤리
electrostatic discharge%semiconductor device%failure%mode%physics mechanism
为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因.在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁.
為瞭得到電磁脈遲對微波半導體器件的損傷規律,進而研究器件的靜電放電損傷機理,首先對半導體器件靜電放電的失效模式即明顯失效和潛在性失效進行瞭介紹;其次分析瞭器件ESD損傷模型;最後通過對器件燒燬的物理機理進行分析,得到器件在靜電放電應力下內在損傷原因.在ESD電磁脈遲作用下,器件會產生擊穿效應,使內部電流密度、電場彊度增大,導緻溫度升高,最終造成微波半導體器件的燒燬.
위료득도전자맥충대미파반도체기건적손상규률,진이연구기건적정전방전손상궤리,수선대반도체기건정전방전적실효모식즉명현실효화잠재성실효진행료개소;기차분석료기건ESD손상모형;최후통과대기건소훼적물리궤리진행분석,득도기건재정전방전응력하내재손상원인.재ESD전자맥충작용하,기건회산생격천효응,사내부전류밀도、전장강도증대,도치온도승고,최종조성미파반도체기건적소훼.
