CAJ | 학술논문

采用电子束沉积的方法在底衬Mo (Rq≈5～8.63 nm)上制备了厚度为2～3 μm的Sc膜,再将Sc膜在Sievert真空系统中进行吸氘.结果表明:在底衬温度为623,823,1023 K时,Sc膜呈现出柱状结构,且具有(002)的择优生长；随着沉积温度从623 K增大到1023 K,Sc膜的(002)择优生长变强,晶粒尺寸也随之增大,这与前人报道的结构区域模型(SZMs)是一致的.Sc膜经吸氘变为了ScD2膜,ScD2膜为(111)择优生长,而且随着衬底温度的升高,择优生长也随着增强,这说明了(111)晶面的ScD2晶核是由吸氘前(002)晶面的钪晶核生长而来的；高底衬温度下制备的Sc膜经吸氘后所获的ScD2膜的晶粒尺寸反而更小,这可能是由D原子在低衬底温度制备的Sc膜中较强的扩散动力学造成的.另外,提出了一种新的制备底衬材料的方法,该方法能够简单、快速的获得Sc膜的断面形貌,而且对Sc膜不会造成任何污染,且经济便宜.
채용전자속침적적방법재저츤Mo (Rq≈5～8.63 nm)상제비료후도위2～3 μm적Sc막,재장Sc막재Sievert진공계통중진행흡도.결과표명:재저츤온도위623,823,1023 K시,Sc막정현출주상결구,차구유(002)적택우생장；수착침적온도종623 K증대도1023 K,Sc막적(002)택우생장변강,정립척촌야수지증대,저여전인보도적결구구역모형(SZMs)시일치적.Sc막경흡도변위료ScD2막,ScD2막위(111)택우생장,이차수착츤저온도적승고,택우생장야수착증강,저설명료(111)정면적ScD2정핵시유흡도전(002)정면적항정핵생장이래적；고저츤온도하제비적Sc막경흡도후소획적ScD2막적정립척촌반이경소,저가능시유D원자재저츤저온도제비적Sc막중교강적확산동역학조성적.령외,제출료일충신적제비저츤재료적방법,해방법능구간단、쾌속적획득Sc막적단면형모,이차대Sc막불회조성임하오염,차경제편의.