微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
4期
494-498
,共5页
刘其龙%丁夏夏%李瑞兴%吴秀龙%谭守标
劉其龍%丁夏夏%李瑞興%吳秀龍%譚守標
류기룡%정하하%리서흥%오수룡%담수표
SRAM%位线漏电流%漏电流降低%位线自截断
SRAM%位線漏電流%漏電流降低%位線自截斷
SRAM%위선루전류%루전류강저%위선자절단
SRAM%Bitline leakage current%Leakage current reduction%Bitline self cut-off
随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势.高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生.特别是当位线上积累的漏电流已经超过SRAM的工作电流时,传统方法将趋于失效.提出位线自截断技术来消除过大漏电流对SRAM的不利影响.采用SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一款SRAM,通过仿真测试,验证了该方法的正确性.
隨著半導體工藝的進步,器件特徵呎吋不斷縮小,晶體管漏電流呈現齣增長趨勢.高速SRAM位線上,過大的漏電流會引起SRAM的性能齣現嚴重下降,甚至導緻SRAM讀失效的髮生.特彆是噹位線上積纍的漏電流已經超過SRAM的工作電流時,傳統方法將趨于失效.提齣位線自截斷技術來消除過大漏電流對SRAM的不利影響.採用SMIC 65 nm CMOS工藝,設計瞭一款SRAM,通過倣真測試,驗證瞭該方法的正確性.
수착반도체공예적진보,기건특정척촌불단축소,정체관루전류정현출증장추세.고속SRAM위선상,과대적루전류회인기SRAM적성능출현엄중하강,심지도치SRAM독실효적발생.특별시당위선상적루적루전류이경초과SRAM적공작전류시,전통방법장추우실효.제출위선자절단기술래소제과대루전류대SRAM적불리영향.채용SMIC 65 nm CMOS공예,설계료일관SRAM,통과방진측시,험증료해방법적정학성.
