微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
4期
484-487
,共4页
BCD工艺%高压栅驱动%电平位移
BCD工藝%高壓柵驅動%電平位移
BCD공예%고압책구동%전평위이
BCD process%High voltage MOS-gate drive%Level shift
基于低压BCD工艺,与华润上华合作开发了1μm 600 V BCD工艺平台,可以集成600V高压LDMOS和高压结终端.基于此工艺平台,设计了一种高压半桥栅驱动电路.该电路具有独立的低端和高端输入通道,内置长达1 μs的死区时间,防止高低端同时导通.采用双脉冲电平位移结构完成15～615V的电平位移,同时集成过流和欠压等保护功能.高端采用新型的电平位移结构,版图面积减小12％.测试结果表明,高端浮置电平可以加到750V,高低端输出上升时间为50 ns,延迟匹配为150 ns,输出峰值电流大于2A,电路响应快,可靠性高.
基于低壓BCD工藝,與華潤上華閤作開髮瞭1μm 600 V BCD工藝平檯,可以集成600V高壓LDMOS和高壓結終耑.基于此工藝平檯,設計瞭一種高壓半橋柵驅動電路.該電路具有獨立的低耑和高耑輸入通道,內置長達1 μs的死區時間,防止高低耑同時導通.採用雙脈遲電平位移結構完成15～615V的電平位移,同時集成過流和欠壓等保護功能.高耑採用新型的電平位移結構,版圖麵積減小12％.測試結果錶明,高耑浮置電平可以加到750V,高低耑輸齣上升時間為50 ns,延遲匹配為150 ns,輸齣峰值電流大于2A,電路響應快,可靠性高.
기우저압BCD공예,여화윤상화합작개발료1μm 600 V BCD공예평태,가이집성600V고압LDMOS화고압결종단.기우차공예평태,설계료일충고압반교책구동전로.해전로구유독립적저단화고단수입통도,내치장체1 μs적사구시간,방지고저단동시도통.채용쌍맥충전평위이결구완성15～615V적전평위이,동시집성과류화흠압등보호공능.고단채용신형적전평위이결구,판도면적감소12％.측시결과표명,고단부치전평가이가도750V,고저단수출상승시간위50 ns,연지필배위150 ns,수출봉치전류대우2A,전로향응쾌,가고성고.
