仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2013年
7期
11-13
,共3页
梁西顶%陈真诚%余丽莎%熊永%李林%梁晋涛
樑西頂%陳真誠%餘麗莎%熊永%李林%樑晉濤
량서정%진진성%여려사%웅영%리림%량진도
EIS型%光寻址电位传感器%光电流%pH%线性相关系数
EIS型%光尋阯電位傳感器%光電流%pH%線性相關繫數
EIS형%광심지전위전감기%광전류%pH%선성상관계수
EIS-type%LAPS%photocurrent%pH%correlation coefficient
对影响EIS(电解质溶液—绝缘层—半导体)型光寻址电位传感器(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS)的特性参数进行研究.通过CHI660D型电化学工作站检测不同厚度LAPS芯片输出的光电流信号,分析了硅基底厚度与LAPS芯片检测灵敏度和检测量程之间的关系；还讨论了偏压大小对输出信号稳定性的影响,并在较低偏置电压下测试不同浓度的pH缓冲溶液,获得了较好的线性关系,线性相关系数为0.9991.
對影響EIS(電解質溶液—絕緣層—半導體)型光尋阯電位傳感器(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS)的特性參數進行研究.通過CHI660D型電化學工作站檢測不同厚度LAPS芯片輸齣的光電流信號,分析瞭硅基底厚度與LAPS芯片檢測靈敏度和檢測量程之間的關繫；還討論瞭偏壓大小對輸齣信號穩定性的影響,併在較低偏置電壓下測試不同濃度的pH緩遲溶液,穫得瞭較好的線性關繫,線性相關繫數為0.9991.
대영향EIS(전해질용액—절연층—반도체)형광심지전위전감기(Light Addressable Potentiometric Sensor,LAPS)적특성삼수진행연구.통과CHI660D형전화학공작참검측불동후도LAPS심편수출적광전류신호,분석료규기저후도여LAPS심편검측령민도화검측량정지간적관계；환토론료편압대소대수출신호은정성적영향,병재교저편치전압하측시불동농도적pH완충용액,획득료교호적선성관계,선성상관계수위0.9991.
