电气传动
電氣傳動
전기전동
ELECTRIC DRIVE
2013年
7期
72-76
,共5页
IGBT串联%吸收电路%均压%关断浪涌电压
IGBT串聯%吸收電路%均壓%關斷浪湧電壓
IGBT천련%흡수전로%균압%관단랑용전압
series connected IGBT's%snubber circuit%voltage balance%shutdown surge voltage
绝缘栅双极型晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,近年来得到了广泛的应用,但是受限于耐压等级,单个IGBT高压大功率电能变换场合还不能满足需求,而串联使用是一种较好的解决方案.在串联使用中为了抑制器件关断过程中产生浪涌过冲,仍然需要吸收电路进行保护.通过对比分析详细阐述了RCD吸收电路在IGBT串联中的使用优势,并给出了参数选取的原则,同时分析了RCD吸收电路对器件动、静态电压均压的影响,并通过实验予以了验证.
絕緣柵雙極型晶體管IGBT綜閤瞭GTR和MOSFET的優點,近年來得到瞭廣汎的應用,但是受限于耐壓等級,單箇IGBT高壓大功率電能變換場閤還不能滿足需求,而串聯使用是一種較好的解決方案.在串聯使用中為瞭抑製器件關斷過程中產生浪湧過遲,仍然需要吸收電路進行保護.通過對比分析詳細闡述瞭RCD吸收電路在IGBT串聯中的使用優勢,併給齣瞭參數選取的原則,同時分析瞭RCD吸收電路對器件動、靜態電壓均壓的影響,併通過實驗予以瞭驗證.
절연책쌍겁형정체관IGBT종합료GTR화MOSFET적우점,근년래득도료엄범적응용,단시수한우내압등급,단개IGBT고압대공솔전능변환장합환불능만족수구,이천련사용시일충교호적해결방안.재천련사용중위료억제기건관단과정중산생랑용과충,잉연수요흡수전로진행보호.통과대비분석상세천술료RCD흡수전로재IGBT천련중적사용우세,병급출료삼수선취적원칙,동시분석료RCD흡수전로대기건동、정태전압균압적영향,병통과실험여이료험증.