光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
7期
817-822
,共6页
刘华松%姜玉刚%王利栓%姜承慧%季一勤
劉華鬆%薑玉剛%王利栓%薑承慧%季一勤
류화송%강옥강%왕리전%강승혜%계일근
光学常量%折射率%消光系数%膜层-基底系统%赝布儒斯特角
光學常量%摺射率%消光繫數%膜層-基底繫統%贗佈儒斯特角
광학상량%절사솔%소광계수%막층-기저계통%안포유사특각
Optical constant%Refractive index%Extinction coefficient%Thin-film substrate system%Pseudo-Brewster angle
对基底和膜层-基底系统的赝布儒斯特角进行了数值计算.结果显示:当基底的消光系数小于0.01时,基底的赝布儒斯特角主要是由折射率决定；当基底的消光系数大于0.1时,基底的赝布儒斯特角不仅与折射率有关,而且还与消光系数有关,随着消光系数发生后周期性变化.研究表明:单层膜-基底系统的赝布儒斯特角主要由膜层的物理厚度、折射率、基底的光学常量所决定；在HfO2-硅和HfO2-融石英基底系统中,赝布儒斯特角随着入射光波长和膜层厚度的变化呈现准周期性规律变化,可能是由入射光在膜层的干涉效应引起的.
對基底和膜層-基底繫統的贗佈儒斯特角進行瞭數值計算.結果顯示:噹基底的消光繫數小于0.01時,基底的贗佈儒斯特角主要是由摺射率決定；噹基底的消光繫數大于0.1時,基底的贗佈儒斯特角不僅與摺射率有關,而且還與消光繫數有關,隨著消光繫數髮生後週期性變化.研究錶明:單層膜-基底繫統的贗佈儒斯特角主要由膜層的物理厚度、摺射率、基底的光學常量所決定；在HfO2-硅和HfO2-融石英基底繫統中,贗佈儒斯特角隨著入射光波長和膜層厚度的變化呈現準週期性規律變化,可能是由入射光在膜層的榦涉效應引起的.
대기저화막층-기저계통적안포유사특각진행료수치계산.결과현시:당기저적소광계수소우0.01시,기저적안포유사특각주요시유절사솔결정；당기저적소광계수대우0.1시,기저적안포유사특각불부여절사솔유관,이차환여소광계수유관,수착소광계수발생후주기성변화.연구표명:단층막-기저계통적안포유사특각주요유막층적물리후도、절사솔、기저적광학상량소결정；재HfO2-규화HfO2-융석영기저계통중,안포유사특각수착입사광파장화막층후도적변화정현준주기성규률변화,가능시유입사광재막층적간섭효응인기적.
