光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
7期
772-776
,共5页
有机电致发光器件%亚单层%激子%亮度%效率
有機電緻髮光器件%亞單層%激子%亮度%效率
유궤전치발광기건%아단층%격자%량도%효솔
Organic light emitting devices%Sub-monolayer%Exciton%Luminance%Efficiency
结合亚单层的有机发光技术,制备了一种多层有机电致发光器件,其结构为ITO/m-MTDATA (50nm)/ C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.荧光材料C545T和DCM2以亚单层的方式插入DPVBi前后,通过改变DPVBi的厚度,观察器件性能的变化,当DPVBi为4 nm时,器件在4V电压下最大发光效率是4.19 cd/A,在13 V电压下最大亮度是17050 cd/m2.分析对比了四种不同厚度器件的电流密度-电压曲线、亮度-电压曲线、电致发光光谱图和色坐标,发现选择合适厚度的激子阻挡层,可以得到效率较高的器件.激子阻挡层一般选择载流子传输能力较差,HOMO能级较低的材料.所得结果对有机发光器件尤其是采用亚单层有机白光器件的设计和制作有一定的指导作用.
結閤亞單層的有機髮光技術,製備瞭一種多層有機電緻髮光器件,其結構為ITO/m-MTDATA (50nm)/ C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.熒光材料C545T和DCM2以亞單層的方式插入DPVBi前後,通過改變DPVBi的厚度,觀察器件性能的變化,噹DPVBi為4 nm時,器件在4V電壓下最大髮光效率是4.19 cd/A,在13 V電壓下最大亮度是17050 cd/m2.分析對比瞭四種不同厚度器件的電流密度-電壓麯線、亮度-電壓麯線、電緻髮光光譜圖和色坐標,髮現選擇閤適厚度的激子阻擋層,可以得到效率較高的器件.激子阻擋層一般選擇載流子傳輸能力較差,HOMO能級較低的材料.所得結果對有機髮光器件尤其是採用亞單層有機白光器件的設計和製作有一定的指導作用.
결합아단층적유궤발광기술,제비료일충다층유궤전치발광기건,기결구위ITO/m-MTDATA (50nm)/ C545T (0.05nm) /DPVBi (d nm)/DCM2(0.05nm)/ Alq (60nm) /LiF(1nm) /Al.형광재료C545T화DCM2이아단층적방식삽입DPVBi전후,통과개변DPVBi적후도,관찰기건성능적변화,당DPVBi위4 nm시,기건재4V전압하최대발광효솔시4.19 cd/A,재13 V전압하최대량도시17050 cd/m2.분석대비료사충불동후도기건적전류밀도-전압곡선、량도-전압곡선、전치발광광보도화색좌표,발현선택합괄후도적격자조당층,가이득도효솔교고적기건.격자조당층일반선택재류자전수능력교차,HOMO능급교저적재료.소득결과대유궤발광기건우기시채용아단층유궤백광기건적설계화제작유일정적지도작용.
