光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
7期
757-762
,共6页
李正凯%严启荣%罗长得%肖汉章%章勇
李正凱%嚴啟榮%囉長得%肖漢章%章勇
리정개%엄계영%라장득%초한장%장용
GaN%垒层厚度%InGaN/GaN量子阱%双蓝光波长
GaN%壘層厚度%InGaN/GaN量子阱%雙藍光波長
GaN%루층후도%InGaN/GaN양자정%쌍람광파장
GaN%Barrier thickness%InGaN/GaN quantum well%Dual-blue wavelength
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题,提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法,并分析了其可行性.利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管,并对不同GaN垒层厚度的双蓝光波长发光二极管的光电性能进行分析,结果表明沿n-GaN到p-GaN方向减小GaN垒层厚度能实现双蓝光发射,并有较好的发光效率.交流阻抗谱结果显示相关双蓝光波长发光二极管可以用一个电阻Rp与电容Cp并联后与一个Rs串联电路来模拟,GaN垒层变化能调节并联电阻和电容,对串联电阻没有影响.此外,基于垒层减小的双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12∶Ce3+荧光粉实现了高显色指数的白光发射.
針對單藍光波長芯片與Y3Al5O12∶Ce3+黃光熒光粉封裝白光髮光二極管存在顯色性不足的問題,提齣瞭採用雙藍光波長芯片激髮Y3Al5O12∶Ce3+黃光熒光粉實現高顯色性白光髮射法,併分析瞭其可行性.利用金屬有機化學氣相沉積繫統在(0001)藍寶石襯底上順序生長兩箇In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和兩箇In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的雙藍光波長髮光二極管,併對不同GaN壘層厚度的雙藍光波長髮光二極管的光電性能進行分析,結果錶明沿n-GaN到p-GaN方嚮減小GaN壘層厚度能實現雙藍光髮射,併有較好的髮光效率.交流阻抗譜結果顯示相關雙藍光波長髮光二極管可以用一箇電阻Rp與電容Cp併聯後與一箇Rs串聯電路來模擬,GaN壘層變化能調節併聯電阻和電容,對串聯電阻沒有影響.此外,基于壘層減小的雙藍光波長芯片激髮Y3Al5O12∶Ce3+熒光粉實現瞭高顯色指數的白光髮射.
침대단람광파장심편여Y3Al5O12∶Ce3+황광형광분봉장백광발광이겁관존재현색성불족적문제,제출료채용쌍람광파장심편격발Y3Al5O12∶Ce3+황광형광분실현고현색성백광발사법,병분석료기가행성.이용금속유궤화학기상침적계통재(0001)람보석츤저상순서생장량개In0.18Ga0.82N/GaN양자정화량개In0.12Ga0.88N/GaN양자정적쌍람광파장발광이겁관,병대불동GaN루층후도적쌍람광파장발광이겁관적광전성능진행분석,결과표명연n-GaN도p-GaN방향감소GaN루층후도능실현쌍람광발사,병유교호적발광효솔.교류조항보결과현시상관쌍람광파장발광이겁관가이용일개전조Rp여전용Cp병련후여일개Rs천련전로래모의,GaN루층변화능조절병련전조화전용,대천련전조몰유영향.차외,기우루층감소적쌍람광파장심편격발Y3Al5O12∶Ce3+형광분실현료고현색지수적백광발사.
