发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
8期
1057-1060
,共4页
高汉超%尹志军%程伟%王元%许晓军%李忠辉
高漢超%尹誌軍%程偉%王元%許曉軍%李忠輝
고한초%윤지군%정위%왕원%허효군%리충휘
GaAsSb%HBT%费米能级
GaAsSb%HBT%費米能級
GaAsSb%HBT%비미능급
GaAsSb%HBT%Fermi level
重p型掺杂GaAsSb广泛应用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料的带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用.本文通过间接跃迁模型研究了p+-GaAsSb材料的荧光性质,以及费米能级与Sb组分的关系.由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,我们通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明mh和nh共同主导了费米能级的变化.
重p型摻雜GaAsSb廣汎應用于InP HBT基區材料,重摻雜影響GaAsSb材料的帶隙和費米能級等重要參數,這些參數對設計高性能HBT起著關鍵作用.本文通過間接躍遷模型研究瞭p+-GaAsSb材料的熒光性質,以及費米能級與Sb組分的關繫.由于費米能級與空穴有效質量mh和空穴態密度nh存在函數關繫,我們通過熒光測量併計算瞭空穴有效質量mh和空穴態密度nh,研究結果錶明mh和nh共同主導瞭費米能級的變化.
중p형참잡GaAsSb엄범응용우InP HBT기구재료,중참잡영향GaAsSb재료적대극화비미능급등중요삼수,저사삼수대설계고성능HBT기착관건작용.본문통과간접약천모형연구료p+-GaAsSb재료적형광성질,이급비미능급여Sb조분적관계.유우비미능급여공혈유효질량mh화공혈태밀도nh존재함수관계,아문통과형광측량병계산료공혈유효질량mh화공혈태밀도nh,연구결과표명mh화nh공동주도료비미능급적변화.
