发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
8期
1022-1027
,共6页
顾文%徐韬%石继锋%李喜峰%张建华
顧文%徐韜%石繼鋒%李喜峰%張建華
고문%서도%석계봉%리희봉%장건화
GZO%透过率%透明导电氧化物
GZO%透過率%透明導電氧化物
GZO%투과솔%투명도전양화물
GZO%transmittance%transparent conductive oxide
采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,并制备了相应的LED器件.实验结果表明:随着薄膜厚度增加,薄膜结晶质量提高,薄膜的电阻率也随之降低.当厚度为500 nm时,薄膜的电阻率最低为2.79×10-4Ω·cm,同时其在460 nm蓝光区域的光透过率高达97.9%.对所制备的以GZO薄膜为透明电极的LED器件进行了测试分析,发现GZO薄膜厚度对LED的正向电压影响不大,但对LED芯片的出光效率有较大影响.
採用射頻磁控濺射的方法製備瞭GZO透明導電薄膜,通過原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射儀(XRD)、霍爾效應測試儀及紫外-可見光分光光度計等手段研究瞭厚度對于GZO薄膜性能的影響,併製備瞭相應的LED器件.實驗結果錶明:隨著薄膜厚度增加,薄膜結晶質量提高,薄膜的電阻率也隨之降低.噹厚度為500 nm時,薄膜的電阻率最低為2.79×10-4Ω·cm,同時其在460 nm藍光區域的光透過率高達97.9%.對所製備的以GZO薄膜為透明電極的LED器件進行瞭測試分析,髮現GZO薄膜厚度對LED的正嚮電壓影響不大,但對LED芯片的齣光效率有較大影響.
채용사빈자공천사적방법제비료GZO투명도전박막,통과원자력현미경(AFM)、X사선연사의(XRD)、곽이효응측시의급자외-가견광분광광도계등수단연구료후도대우GZO박막성능적영향,병제비료상응적LED기건.실험결과표명:수착박막후도증가,박막결정질량제고,박막적전조솔야수지강저.당후도위500 nm시,박막적전조솔최저위2.79×10-4Ω·cm,동시기재460 nm람광구역적광투과솔고체97.9%.대소제비적이GZO박막위투명전겁적LED기건진행료측시분석,발현GZO박막후도대LED적정향전압영향불대,단대LED심편적출광효솔유교대영향.