发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2013年
8期
1011-1016
,共6页
刘仁俊%李天天%杨皓宇%王连锴%吕游%张宝林
劉仁俊%李天天%楊皓宇%王連鍇%呂遊%張寶林
류인준%리천천%양호우%왕련개%려유%장보림
GaSb/GaAs自组装量子点%尺寸分布%MOCVD
GaSb/GaAs自組裝量子點%呎吋分佈%MOCVD
GaSb/GaAs자조장양자점%척촌분포%MOCVD
self-assembled GaSb/GaAs QDs%size distribution%MOCVD
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点.通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型.由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的“自限制”生长.量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长.Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响.升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大.
採用低壓金屬有機物化學氣相沉積(LP-MOCVD)法製備GaSb/GaAs量子點.通過對不同生長溫度的樣品進行分析髮現溫度的變化對GaSb/GaAs量子點的相位角無明顯影響,量子點的形狀是透鏡型.由于量子點特殊的應力分佈,可實現量子點的“自限製”生長.量子點的化學勢不連續性以及Ostwald熟化機製的影響使得量子點呎吋分佈在一定範圍內不連續,會齣現兩種呎吋模式的量子點生長.Sb原子的錶麵遷移率對GaSb/GaAs量子點生長有較大的影響.升高溫度可有效改善量子點的分立性,在升溫過程中量子點體現齣其熟化過程,高溫時錶麵原子的解析附作用對量子點呎吋和密度的影響較大.
채용저압금속유궤물화학기상침적(LP-MOCVD)법제비GaSb/GaAs양자점.통과대불동생장온도적양품진행분석발현온도적변화대GaSb/GaAs양자점적상위각무명현영향,양자점적형상시투경형.유우양자점특수적응력분포,가실현양자점적“자한제”생장.양자점적화학세불련속성이급Ostwald숙화궤제적영향사득양자점척촌분포재일정범위내불련속,회출현량충척촌모식적양자점생장.Sb원자적표면천이솔대GaSb/GaAs양자점생장유교대적영향.승고온도가유효개선양자점적분립성,재승온과정중양자점체현출기숙화과정,고온시표면원자적해석부작용대양자점척촌화밀도적영향교대.
