氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析
경화물기상외연생장적GaN막중적응력분석
Strain in GaN Epi-Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2013年 8期 2105-2108 ,共4页

    刘战辉%修向前%张李骊%张荣%张雅男%苏静%谢自力%刘斌%单云

    류전휘%수향전%장리려%장영%장아남%소정%사자력%류빈%단운

    氮化镓%氢化物气相外延%拉曼光谱%激光光致发光谱%应力 氮化鎵%氫化物氣相外延%拉曼光譜%激光光緻髮光譜%應力
    담화가%경화물기상외연%랍만광보%격광광치발광보%응력
    GaN%Hydride vapor phase epitaxy%Raman spectra%Photoluminescence%Strain
    对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析.高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量.利用高分辨X射线衍射技术准确测量了制备的GaN膜的晶格常数,并计算得到GaN膜中面内双轴应变和面外双轴应变分别为3.37×10-4和-8.52×10-4,等静压应变为-7.61×10-5.拉曼光谱和激光光致发光谱测试表明HVPE-GaN外延膜具有较好的光学特性,利用拉曼光谱的E2模式特征峰和激光光致发光谱中近带边发射峰的频移定量计算了外延膜中的面内双轴压应力和等静压应力.两种方法得到的面内双轴压应力较为相符.
    대재c면람보석상용경화물기상외연법(HVPE)생장적륙방상섬자광결구적GaN막중적응력진행료분석.고분변X사선연사(002)면화(102)면요파곡선소묘(반고관수치분별위317화358각초)표명생장적GaN막구유교호적정체질량.이용고분변X사선연사기술준학측량료제비적GaN막적정격상수,병계산득도GaN막중면내쌍축응변화면외쌍축응변분별위3.37×10-4화-8.52×10-4,등정압응변위-7.61×10-5.랍만광보화격광광치발광보측시표명HVPE-GaN외연막구유교호적광학특성,이용랍만광보적E2모식특정봉화격광광치발광보중근대변발사봉적빈이정량계산료외연막중적면내쌍축압응력화등정압응력.량충방법득도적면내쌍축압응력교위상부.
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