液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2013年
2期
224-227
,共4页
张光明%刘杰%徐守宇%郑云友%吴成龙%曲泓铭%李伟%宋泳珍%李正動
張光明%劉傑%徐守宇%鄭雲友%吳成龍%麯泓銘%李偉%宋泳珍%李正動
장광명%류걸%서수우%정운우%오성룡%곡홍명%리위%송영진%리정동
为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.
為瞭減少製造工藝的流程,改進的4-Mask工藝被廣汎應用.但這箇工藝仍存在一些問題,如果有源層刻蝕和第二次源漏數據線刻蝕之間間隔時間較長(≥5.9h),則有源層刻蝕所用氣體Cl2形成的活化分子會對溝道內Al造成腐蝕.除瞭縮短上述間隔時間的方法外,本文應用有源層刻蝕後處理加入SF6/O2的方法,很好地阻止瞭對Al的腐蝕,對改進後4-Mask工藝的進一步應用具有非常重要的意義.
위료감소제조공예적류정,개진적4-Mask공예피엄범응용.단저개공예잉존재일사문제,여과유원층각식화제이차원루수거선각식지간간격시간교장(≥5.9h),칙유원층각식소용기체Cl2형성적활화분자회대구도내Al조성부식.제료축단상술간격시간적방법외,본문응용유원층각식후처리가입SF6/O2적방법,흔호지조지료대Al적부식,대개진후4-Mask공예적진일보응용구유비상중요적의의.
