GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
GaN기화LiZnAs기희자반도체적연구진전
Research Progress of Diluted Magnetic Semiconductors Based on GaN and LiZnAs
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2013年 15期 113-118 ,共6页

    王爱玲%毋志民%王聪%赵若禺

    왕애령%무지민%왕총%조약우

    GaN基稀磁半导体%LiZnAs基新型稀磁半导体%居里温度%晶体结构 GaN基稀磁半導體%LiZnAs基新型稀磁半導體%居裏溫度%晶體結構
    GaN기희자반도체%LiZnAs기신형희자반도체%거리온도%정체결구
    diluted magnetic semiconductor based on GaN%diluted magnetic semiconductor based on LiZnAs%Curie temperature%crystal structure
    综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法.从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向.
    종술료희자반도체급기연구진전,천술료제고거리온도적방법.종정체결구、재료적연구현상화대해결적문제궤개방면상술료이GaN위대표적전통적Ⅲ-Ⅴ족기화LiZnAs위대표적신형Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ족기량류희자반도체적기본특점,병전망료금후적연구중점급발전방향.
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