材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2013年
16期
47-51
,共5页
季尚司%左然%苏文佳%韩江山
季尚司%左然%囌文佳%韓江山
계상사%좌연%소문가%한강산
铸造多晶硅%点冷却%杂质传输%数值模拟
鑄造多晶硅%點冷卻%雜質傳輸%數值模擬
주조다정규%점냉각%잡질전수%수치모의
silion casting%point cooling%impurity transport%numerical simulation
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.铸锭生长过程中的杂质主要有C、N、O、金属离子及固体颗粒SiC和Si3 N4.这些杂质能够降低晶片中少数载流子的寿命及太阳电池的填充因子；同时固体颗粒会造成切片过程的断线和晶片表面产生划痕.设计了一种新的方法生长大晶粒多晶硅,对石墨垫板进行刻槽处理,并采用数值模拟的方法模拟了该生长过程杂质的传输.模拟结果表明,刻槽的深度明显影响着初始生长时结晶界面上O、C和N的分布；同时刻槽深度越大,生长速率越快,越能够抑制晶体中SiC和Si3N4的形成.
鑄錠中過高的雜質濃度是影響鑄造多晶硅太暘電池效率的主要因素之一.鑄錠生長過程中的雜質主要有C、N、O、金屬離子及固體顆粒SiC和Si3 N4.這些雜質能夠降低晶片中少數載流子的壽命及太暘電池的填充因子；同時固體顆粒會造成切片過程的斷線和晶片錶麵產生劃痕.設計瞭一種新的方法生長大晶粒多晶硅,對石墨墊闆進行刻槽處理,併採用數值模擬的方法模擬瞭該生長過程雜質的傳輸.模擬結果錶明,刻槽的深度明顯影響著初始生長時結晶界麵上O、C和N的分佈；同時刻槽深度越大,生長速率越快,越能夠抑製晶體中SiC和Si3N4的形成.
주정중과고적잡질농도시영향주조다정규태양전지효솔적주요인소지일.주정생장과정중적잡질주요유C、N、O、금속리자급고체과립SiC화Si3 N4.저사잡질능구강저정편중소수재류자적수명급태양전지적전충인자；동시고체과립회조성절편과정적단선화정편표면산생화흔.설계료일충신적방법생장대정립다정규,대석묵점판진행각조처리,병채용수치모의적방법모의료해생장과정잡질적전수.모의결과표명,각조적심도명현영향착초시생장시결정계면상O、C화N적분포；동시각조심도월대,생장속솔월쾌,월능구억제정체중SiC화Si3N4적형성.
