材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2013年
17期
117-120
,共4页
岳安娜%彭坤%周灵平%朱家俊%李德意
嶽安娜%彭坤%週靈平%硃傢俊%李德意
악안나%팽곤%주령평%주가준%리덕의
Al/Cu键合%金属间化合物%扩散%Ti过渡层
Al/Cu鍵閤%金屬間化閤物%擴散%Ti過渡層
Al/Cu건합%금속간화합물%확산%Ti과도층
Al/Cu bonding%intermetallic compound%diffusion%Ti barrier layer
Al/Cu键合界面金属间化合物的形成是导致微电子器件失效的重要因素之一,总结了微电子器件生产和使用过程中Al/Cu键合界面金属间化合物的生长规律,分析了Al/Cu键合系统的失效机制.热超声键合过程中,Al焊盘上氧化铝层的破裂使金属间化合物的形成成为可能,键合及器件使用过程中,金属间化合物和柯肯德尔空洞的形成和长大最终导致键合失效.采用在Al焊盘上镀覆Ti过渡层的方法,可有效降低键合系统中Cu原子的扩散速度,抑制金属间化合物的生长,从而提高电子元器件的可靠性.
Al/Cu鍵閤界麵金屬間化閤物的形成是導緻微電子器件失效的重要因素之一,總結瞭微電子器件生產和使用過程中Al/Cu鍵閤界麵金屬間化閤物的生長規律,分析瞭Al/Cu鍵閤繫統的失效機製.熱超聲鍵閤過程中,Al銲盤上氧化鋁層的破裂使金屬間化閤物的形成成為可能,鍵閤及器件使用過程中,金屬間化閤物和柯肯德爾空洞的形成和長大最終導緻鍵閤失效.採用在Al銲盤上鍍覆Ti過渡層的方法,可有效降低鍵閤繫統中Cu原子的擴散速度,抑製金屬間化閤物的生長,從而提高電子元器件的可靠性.
Al/Cu건합계면금속간화합물적형성시도치미전자기건실효적중요인소지일,총결료미전자기건생산화사용과정중Al/Cu건합계면금속간화합물적생장규률,분석료Al/Cu건합계통적실효궤제.열초성건합과정중,Al한반상양화려층적파렬사금속간화합물적형성성위가능,건합급기건사용과정중,금속간화합물화가긍덕이공동적형성화장대최종도치건합실효.채용재Al한반상도복Ti과도층적방법,가유효강저건합계통중Cu원자적확산속도,억제금속간화합물적생장,종이제고전자원기건적가고성.
