新能源进展
新能源進展
신능원진전
Advances in New and Renewable Enengy
2013年
1期
332-335,342
,共5页
柴常春%张冰%杨银堂%吴晓鹏%王婧
柴常春%張冰%楊銀堂%吳曉鵬%王婧
시상춘%장빙%양은당%오효붕%왕청
闩锁效应%静电放电%版图%独立双阱隔离
閂鎖效應%靜電放電%版圖%獨立雙阱隔離
산쇄효응%정전방전%판도%독립쌍정격리
latch-up effect%electrostatic discharge%layout%independent double-well isolation
针对具有低压触发特性的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路易闩锁的不足,本文结合CSMC 0.6μm CMOS工艺,设计了一种可应用于ESD保护电路中的独立双阱隔离布局方案,这种方案不仅可以有效的阻断形成闩锁的CMOS器件固有纵向PNP与横向NPN晶体管的耦合,且兼容原有工艺而不增加版图面积.将此布局方案与常规保护环结构同时应用于笔者研制的具有低压快速触发特性双通路ESD保护电路中,通过流片及测试对比表明,该布局方案在不影响保护电路特性的同时,较常规保护环结构更为有效的克服了保护电路的闩锁效应,从而进一步提升了该保护电路的鲁棒性指标.本文的布局方案为次亚微米MOS ESD保护电路版图设计提供了一种新的参考依据.
針對具有低壓觸髮特性的靜電放電(electrostatic discharge,ESD)保護電路易閂鎖的不足,本文結閤CSMC 0.6μm CMOS工藝,設計瞭一種可應用于ESD保護電路中的獨立雙阱隔離佈跼方案,這種方案不僅可以有效的阻斷形成閂鎖的CMOS器件固有縱嚮PNP與橫嚮NPN晶體管的耦閤,且兼容原有工藝而不增加版圖麵積.將此佈跼方案與常規保護環結構同時應用于筆者研製的具有低壓快速觸髮特性雙通路ESD保護電路中,通過流片及測試對比錶明,該佈跼方案在不影響保護電路特性的同時,較常規保護環結構更為有效的剋服瞭保護電路的閂鎖效應,從而進一步提升瞭該保護電路的魯棒性指標.本文的佈跼方案為次亞微米MOS ESD保護電路版圖設計提供瞭一種新的參攷依據.
침대구유저압촉발특성적정전방전(electrostatic discharge,ESD)보호전로역산쇄적불족,본문결합CSMC 0.6μm CMOS공예,설계료일충가응용우ESD보호전로중적독립쌍정격리포국방안,저충방안불부가이유효적조단형성산쇄적CMOS기건고유종향PNP여횡향NPN정체관적우합,차겸용원유공예이불증가판도면적.장차포국방안여상규보호배결구동시응용우필자연제적구유저압쾌속촉발특성쌍통로ESD보호전로중,통과류편급측시대비표명,해포국방안재불영향보호전로특성적동시,교상규보호배결구경위유효적극복료보호전로적산쇄효응,종이진일보제승료해보호전로적로봉성지표.본문적포국방안위차아미미MOS ESD보호전로판도설계제공료일충신적삼고의거.