新能源进展
新能源進展
신능원진전
Advances in New and Renewable Enengy
2013年
2期
12-19
,共8页
LED高压驱动芯片%高可靠性%高转换效率%EMI%抖频
LED高壓驅動芯片%高可靠性%高轉換效率%EMI%抖頻
LED고압구동심편%고가고성%고전환효솔%EMI%두빈
high voltage led driver%high reliability%high efficiency%EMI%frequency jitter
根据白光LED (Light Emitting Diode)的特性及其对驱动电路的要求,提出了一种高可靠、高效率的LED高压驱动芯片,具有线性调光和数字调光两种调光功能.芯片采用简化的脉冲宽度调制(PWM,Pulse Width Modulation)峰值电流控制模式控制通过LED的电流,系统稳定性好,抗干扰能力强.振荡器中新型抖频电路模块的加入,提高了系统的电磁干扰(EMI,Electro Magnetic Interference)性能,使系统可靠性进一步增强.驱动芯片的输入电压范围为8.5 V～40V,输出的驱动电压达7.5V,可有效降低NMOS功率开关管的导通损耗.电路设计采用低静态电流、低反馈电压等低功耗设计技术,提高了系统的电能转换效率.芯片采用CSMC公司1μm 40V高压CMOS工艺模型设计,并完成流片.测试结果验证了抖频电路的作用,系统的最高转换效率达到了95.3％.
根據白光LED (Light Emitting Diode)的特性及其對驅動電路的要求,提齣瞭一種高可靠、高效率的LED高壓驅動芯片,具有線性調光和數字調光兩種調光功能.芯片採用簡化的脈遲寬度調製(PWM,Pulse Width Modulation)峰值電流控製模式控製通過LED的電流,繫統穩定性好,抗榦擾能力彊.振盪器中新型抖頻電路模塊的加入,提高瞭繫統的電磁榦擾(EMI,Electro Magnetic Interference)性能,使繫統可靠性進一步增彊.驅動芯片的輸入電壓範圍為8.5 V～40V,輸齣的驅動電壓達7.5V,可有效降低NMOS功率開關管的導通損耗.電路設計採用低靜態電流、低反饋電壓等低功耗設計技術,提高瞭繫統的電能轉換效率.芯片採用CSMC公司1μm 40V高壓CMOS工藝模型設計,併完成流片.測試結果驗證瞭抖頻電路的作用,繫統的最高轉換效率達到瞭95.3％.
근거백광LED (Light Emitting Diode)적특성급기대구동전로적요구,제출료일충고가고、고효솔적LED고압구동심편,구유선성조광화수자조광량충조광공능.심편채용간화적맥충관도조제(PWM,Pulse Width Modulation)봉치전류공제모식공제통과LED적전류,계통은정성호,항간우능력강.진탕기중신형두빈전로모괴적가입,제고료계통적전자간우(EMI,Electro Magnetic Interference)성능,사계통가고성진일보증강.구동심편적수입전압범위위8.5 V～40V,수출적구동전압체7.5V,가유효강저NMOS공솔개관관적도통손모.전로설계채용저정태전류、저반궤전압등저공모설계기술,제고료계통적전능전환효솔.심편채용CSMC공사1μm 40V고압CMOS공예모형설계,병완성류편.측시결과험증료두빈전로적작용,계통적최고전환효솔체도료95.3％.
