微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
4期
586-592
,共7页
黄示%郭宇锋%姚佳飞%夏晓娟%徐跃%张瑛
黃示%郭宇鋒%姚佳飛%夏曉娟%徐躍%張瑛
황시%곽우봉%요가비%하효연%서약%장영
横向超结双扩散MOS%衬底辅助耗尽效应%击穿电压%比导通电阻
橫嚮超結雙擴散MOS%襯底輔助耗儘效應%擊穿電壓%比導通電阻
횡향초결쌍확산MOS%츤저보조모진효응%격천전압%비도통전조
SJ-LDMOS%Substrate-assisted depletion (SAD) effect%Breakdown voltage%Specific on-resistance
横向超结双扩散MOS (SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一.分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系.最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望.
橫嚮超結雙擴散MOS (SJ-LDMOS)的性能優越,在高壓集成電路和功率集成電路中具有廣闊的應用前景,而襯底輔助耗儘效應是製約橫嚮超結功率器件性能的重要因素之一.分析瞭SJ-LDMOS襯底輔助耗儘效應的產生機理,總結瞭噹前國內外消除SJ-LDMOS襯底輔助耗儘效應的技術,比較瞭各種技術的比導通電阻與擊穿電壓的關繫.最後,從設計技術、工藝及理論模型三箇方麵,對橫嚮超結器件的髮展方嚮進行瞭展望.
횡향초결쌍확산MOS (SJ-LDMOS)적성능우월,재고압집성전로화공솔집성전로중구유엄활적응용전경,이츤저보조모진효응시제약횡향초결공솔기건성능적중요인소지일.분석료SJ-LDMOS츤저보조모진효응적산생궤리,총결료당전국내외소제SJ-LDMOS츤저보조모진효응적기술,비교료각충기술적비도통전조여격천전압적관계.최후,종설계기술、공예급이론모형삼개방면,대횡향초결기건적발전방향진행료전망.
