N面GaN材料及器件的研究进展
N면GaN재료급기건적연구진전
Progress in the Development of N-Polar GaN Material and Device
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2013年 4期 581-585,592 ,共6页

    姚艳丽%张进成

    요염려%장진성

    N面GaN%宽禁带半导体%微波功率器件%光电器件%探测器 N麵GaN%寬禁帶半導體%微波功率器件%光電器件%探測器
    N면GaN%관금대반도체%미파공솔기건%광전기건%탐측기
    N-polar GaN%Wide bandgap semiconductor%Microwave power device%Optoelectronic device%Detector
    N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容.对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分析.在此基础上,论述了N面GaN材料及器件未来的发展趋势.
    N면GaN재료급기건시관금대반도체기술중적중요연구내용.대N면GaN재료급기건적개념、우세、연구현상이급존재적문제진행료계통적분석.재차기출상,논술료N면GaN재료급기건미래적발전추세.
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