微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
4期
564-567
,共4页
吕曼%张小玲%张彦秀%谢雪松%孙江超%陈成菊%吕长志
呂曼%張小玲%張彥秀%謝雪鬆%孫江超%陳成菊%呂長誌
려만%장소령%장언수%사설송%손강초%진성국%려장지
横向PNP%双极晶体管%总剂量辐照
橫嚮PNP%雙極晶體管%總劑量輻照
횡향PNP%쌍겁정체관%총제량복조
Lateral PNP%Bipolar transistor%Total-dose irradiation
双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加.工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强.由于离子注入前氧化层的影响,厚氧化层形成的浅发射结LPNP具有更少的注入损伤,界面态较少,同时具有高的表面杂质浓度,从而减少了辐照后发射区上方的SRH复合以及过剩基极电流的增加,提高了LPNP双极晶体管的抗辐照性能.
雙極晶體管的輻照總劑量效應主要錶現為電流增益下降和漏電流增加.工藝相同、髮射結結深不同的LPNP雙極晶體管的抗輻照敏感性不同,淺髮射結LPNP的抗輻照性能更彊.由于離子註入前氧化層的影響,厚氧化層形成的淺髮射結LPNP具有更少的註入損傷,界麵態較少,同時具有高的錶麵雜質濃度,從而減少瞭輻照後髮射區上方的SRH複閤以及過剩基極電流的增加,提高瞭LPNP雙極晶體管的抗輻照性能.
쌍겁정체관적복조총제량효응주요표현위전류증익하강화루전류증가.공예상동、발사결결심불동적LPNP쌍겁정체관적항복조민감성불동,천발사결LPNP적항복조성능경강.유우리자주입전양화층적영향,후양화층형성적천발사결LPNP구유경소적주입손상,계면태교소,동시구유고적표면잡질농도,종이감소료복조후발사구상방적SRH복합이급과잉기겁전류적증가,제고료LPNP쌍겁정체관적항복조성능.
