微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
4期
457-459,463
,共4页
胡勇%彭晓宏%刘云康%吕本强%朱治鼎
鬍勇%彭曉宏%劉雲康%呂本彊%硃治鼎
호용%팽효굉%류운강%려본강%주치정
带隙基准源%曲率补偿%温度系数%电源抑制比
帶隙基準源%麯率補償%溫度繫數%電源抑製比
대극기준원%곡솔보상%온도계수%전원억제비
Bandgap voltage reference source%Curvature compensation%Temperature coefficient%PSRR
提出了一种新型电流模式的带隙基准电压源结构,与传统带隙基准源不同,通过电流模式高阶曲率补偿技术,消除了高阶温度系数对基准电压的影响,得到一个与温度相关性较小的基准电压.电路采用Chartered 0.35μm工艺进行设计,仿真验证结果表明,在-40℃～125℃温度范围内,温度系数为7.25×10-6/℃,基准电压平均值为1.114 V,电源抑制比为-89.28 dB.
提齣瞭一種新型電流模式的帶隙基準電壓源結構,與傳統帶隙基準源不同,通過電流模式高階麯率補償技術,消除瞭高階溫度繫數對基準電壓的影響,得到一箇與溫度相關性較小的基準電壓.電路採用Chartered 0.35μm工藝進行設計,倣真驗證結果錶明,在-40℃～125℃溫度範圍內,溫度繫數為7.25×10-6/℃,基準電壓平均值為1.114 V,電源抑製比為-89.28 dB.
제출료일충신형전류모식적대극기준전압원결구,여전통대극기준원불동,통과전류모식고계곡솔보상기술,소제료고계온도계수대기준전압적영향,득도일개여온도상관성교소적기준전압.전로채용Chartered 0.35μm공예진행설계,방진험증결과표명,재-40℃～125℃온도범위내,온도계수위7.25×10-6/℃,기준전압평균치위1.114 V,전원억제비위-89.28 dB.
