红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2013年
4期
971-974
,共4页
于盛旺%安康%李晓静%申艳艳%宁来元%贺志勇%唐宾%唐伟忠
于盛旺%安康%李曉靜%申豔豔%寧來元%賀誌勇%唐賓%唐偉忠
우성왕%안강%리효정%신염염%저래원%하지용%당빈%당위충
椭球谐振腔式MPCVD装置%CH4浓度%光学级金刚石膜%高功率%生长速率
橢毬諧振腔式MPCVD裝置%CH4濃度%光學級金剛石膜%高功率%生長速率
타구해진강식MPCVD장치%CH4농도%광학급금강석막%고공솔%생장속솔
ellipsoidal cavity type MPCVD reactor%CH4 concentration%polycrystalline diamond films%high power%growth rate
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,就高功率条件下CH4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了研究,并在此基础上进行了大面积光学级金刚石膜的沉积.利用扫描电镜、激光拉曼谱仪、傅里叶红外光谱仪对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质、红外透过率等进行了表征.实验结果表明,使用自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置在高功率条件下通过提高CH4浓度会使金刚石膜的生长速率增加,但当CH4浓度达到一定比例后,金刚石膜的生长速率将不再继续提高.CH4浓度在0.5％～2％时制备的金刚石膜品质较高；自行设计建造的椭球谐振腔式MPCVD装置能够满足在较高功率下光学级金刚石膜的快速沉积要求.
使用自行研製的橢毬諧振腔式MPCVD裝置,以H2-CH4為氣源,就高功率條件下CH4濃度對金剛石膜的生長速率和品質的影響規律進行瞭研究,併在此基礎上進行瞭大麵積光學級金剛石膜的沉積.利用掃描電鏡、激光拉曼譜儀、傅裏葉紅外光譜儀對金剛石膜的錶麵和斷口形貌、金剛石膜的品質、紅外透過率等進行瞭錶徵.實驗結果錶明,使用自行設計建造的橢毬諧振腔式MPCVD裝置在高功率條件下通過提高CH4濃度會使金剛石膜的生長速率增加,但噹CH4濃度達到一定比例後,金剛石膜的生長速率將不再繼續提高.CH4濃度在0.5％～2％時製備的金剛石膜品質較高；自行設計建造的橢毬諧振腔式MPCVD裝置能夠滿足在較高功率下光學級金剛石膜的快速沉積要求.
사용자행연제적타구해진강식MPCVD장치,이H2-CH4위기원,취고공솔조건하CH4농도대금강석막적생장속솔화품질적영향규률진행료연구,병재차기출상진행료대면적광학급금강석막적침적.이용소묘전경、격광랍만보의、부리협홍외광보의대금강석막적표면화단구형모、금강석막적품질、홍외투과솔등진행료표정.실험결과표명,사용자행설계건조적타구해진강식MPCVD장치재고공솔조건하통과제고CH4농도회사금강석막적생장속솔증가,단당CH4농도체도일정비례후,금강석막적생장속솔장불재계속제고.CH4농도재0.5％～2％시제비적금강석막품질교고；자행설계건조적타구해진강식MPCVD장치능구만족재교고공솔하광학급금강석막적쾌속침적요구.
