西南民族大学学报（自然科学版）
西南民族大學學報（自然科學版）
서남민족대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHWEST NATIONALITIES COLLEGE·NATURAL SCIENCE EDITION
2013年
4期
582-585
,共4页
等离子增强化学气相沉积%氮化硅薄膜%电子材料%电学性能
等離子增彊化學氣相沉積%氮化硅薄膜%電子材料%電學性能
등리자증강화학기상침적%담화규박막%전자재료%전학성능
以硅烷和氨气为前驱体,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备了氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射线光电子能谱和红外光谱,研究了在不同的硅烷/氨气流量比条件下,合成的氮化硅薄膜的组分和结构.结果表明:随着硅烷氨气流量比的增加,薄膜的氮硅原子比率增加；更多Si-N成键态随着NH3/SiH4流量比的增加获得.Ⅰ-Ⅴ曲线展现了氮化硅薄膜的电学性能.
以硅烷和氨氣為前驅體,採用等離子增彊化學氣相沉積(PECVD)法製備瞭氮化硅(SiNx)薄膜.利用X射線光電子能譜和紅外光譜,研究瞭在不同的硅烷/氨氣流量比條件下,閤成的氮化硅薄膜的組分和結構.結果錶明:隨著硅烷氨氣流量比的增加,薄膜的氮硅原子比率增加；更多Si-N成鍵態隨著NH3/SiH4流量比的增加穫得.Ⅰ-Ⅴ麯線展現瞭氮化硅薄膜的電學性能.
이규완화안기위전구체,채용등리자증강화학기상침적(PECVD)법제비료담화규(SiNx)박막.이용X사선광전자능보화홍외광보,연구료재불동적규완/안기류량비조건하,합성적담화규박막적조분화결구.결과표명:수착규완안기류량비적증가,박막적담규원자비솔증가；경다Si-N성건태수착NH3/SiH4류량비적증가획득.Ⅰ-Ⅴ곡선전현료담화규박막적전학성능.
