电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2014年
8期
54-57
,共4页
马策宇%陆蓉%袁源%秦海鸿
馬策宇%陸蓉%袁源%秦海鴻
마책우%륙용%원원%진해홍
半导体器件%特性参数%主功率部分%控制驱动部分
半導體器件%特性參數%主功率部分%控製驅動部分
반도체기건%특성삼수%주공솔부분%공제구동부분
semiconductor%characteristic parameter%main power part%drive control part
近年来,一种新型半导体器件碳化硅(SiC)以其优良的性能逐渐受到人们的关注.介绍了SiC的材料特性及基于SiC的功率开关器件的特性,并对其在Buck电路中的应用进行了探索.主要对SiC器件的特性参数进行分析,并对Buck电路的主功率部分及控制驱动部分进行了设计.通过设计Buck电路并进行仿真实验,验证了理论设计的正确性.实验结果表明,SiC MOSFET器件在高频大电压的应用场合相对于硅(Si) MOSFET器件有着开关损耗低,效率高等优点.
近年來,一種新型半導體器件碳化硅(SiC)以其優良的性能逐漸受到人們的關註.介紹瞭SiC的材料特性及基于SiC的功率開關器件的特性,併對其在Buck電路中的應用進行瞭探索.主要對SiC器件的特性參數進行分析,併對Buck電路的主功率部分及控製驅動部分進行瞭設計.通過設計Buck電路併進行倣真實驗,驗證瞭理論設計的正確性.實驗結果錶明,SiC MOSFET器件在高頻大電壓的應用場閤相對于硅(Si) MOSFET器件有著開關損耗低,效率高等優點.
근년래,일충신형반도체기건탄화규(SiC)이기우량적성능축점수도인문적관주.개소료SiC적재료특성급기우SiC적공솔개관기건적특성,병대기재Buck전로중적응용진행료탐색.주요대SiC기건적특성삼수진행분석,병대Buck전로적주공솔부분급공제구동부분진행료설계.통과설계Buck전로병진행방진실험,험증료이론설계적정학성.실험결과표명,SiC MOSFET기건재고빈대전압적응용장합상대우규(Si) MOSFET기건유착개관손모저,효솔고등우점.
