河南科技大学学报（自然科学版）
河南科技大學學報（自然科學版）
하남과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENAN UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE)
2013年
5期
15-18
,共4页
杜凯%魏荣慧%魏世忠%杨海滨
杜凱%魏榮慧%魏世忠%楊海濱
두개%위영혜%위세충%양해빈
纳米结构%SiC%半导体%光致发光
納米結構%SiC%半導體%光緻髮光
납미결구%SiC%반도체%광치발광
采用脉冲放电法在六甲基二硅烷液体中放电制备得到β-SiC纳米颗粒,研究了空气气氛中退火样品的光致发光谱与退火温度的关系.在室温下观察到400 nm和470 nm的发光峰.讨论了相关的光致发光性质和可能的内在机理.400 nm峰可能是源自于β-SiC纳米颗粒表面的原子过量缺陷中心,而470 nm峰则认为与在β-SiC纳米晶和无定形SiO2界面处的缺陷有关.
採用脈遲放電法在六甲基二硅烷液體中放電製備得到β-SiC納米顆粒,研究瞭空氣氣氛中退火樣品的光緻髮光譜與退火溫度的關繫.在室溫下觀察到400 nm和470 nm的髮光峰.討論瞭相關的光緻髮光性質和可能的內在機理.400 nm峰可能是源自于β-SiC納米顆粒錶麵的原子過量缺陷中心,而470 nm峰則認為與在β-SiC納米晶和無定形SiO2界麵處的缺陷有關.
채용맥충방전법재륙갑기이규완액체중방전제비득도β-SiC납미과립,연구료공기기분중퇴화양품적광치발광보여퇴화온도적관계.재실온하관찰도400 nm화470 nm적발광봉.토론료상관적광치발광성질화가능적내재궤리.400 nm봉가능시원자우β-SiC납미과립표면적원자과량결함중심,이470 nm봉칙인위여재β-SiC납미정화무정형SiO2계면처적결함유관.
