电子技术应用
電子技術應用
전자기술응용
APPLICATION OF ELECTRONIC TECHNIQUE
2014年
8期
41-43,47
,共4页
CMOS%超宽带%低噪声放大器%噪声消除
CMOS%超寬帶%低譟聲放大器%譟聲消除
CMOS%초관대%저조성방대기%조성소제
CMOS%ultra-wideband(UWB)%low-noise%amplifiers%noise%canceling
基于TSMC O.18μm工艺研究3 GHz～5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计.采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配.仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB～19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB～2.4 dB.在1.8V供电电压下电路功耗为12.5 mW.
基于TSMC O.18μm工藝研究3 GHz～5 GHz CMOS超寬帶無線通信繫統接收信號前耑的低譟聲放大器設計.採用單耑轉差分電路實現對低譟聲放大器譟聲消除的目的,利用串聯電感作為負載提供寬帶匹配.倣真結果錶明,所設計的電路正嚮電壓增益S21為17.8 dB～19.6 dB,輸入、輸齣耑口反射繫數均小于-11 dB,譟聲繫數NF為2.02 dB～2.4 dB.在1.8V供電電壓下電路功耗為12.5 mW.
기우TSMC O.18μm공예연구3 GHz～5 GHz CMOS초관대무선통신계통접수신호전단적저조성방대기설계.채용단단전차분전로실현대저조성방대기조성소제적목적,이용천련전감작위부재제공관대필배.방진결과표명,소설계적전로정향전압증익S21위17.8 dB～19.6 dB,수입、수출단구반사계수균소우-11 dB,조성계수NF위2.02 dB～2.4 dB.재1.8V공전전압하전로공모위12.5 mW.
