科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2013年
20期
5801-5805
,共5页
LTE%InGaP/GaAs HBT%射频功率放大器%1 dB压缩点%功率增益%功率附加效率
LTE%InGaP/GaAs HBT%射頻功率放大器%1 dB壓縮點%功率增益%功率附加效率
LTE%InGaP/GaAs HBT%사빈공솔방대기%1 dB압축점%공솔증익%공솔부가효솔
LTE%InGaP/GaAs HBT%RF power amplifier%P1dB%Power Gain%PAE
基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器.工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.芯片版图面积为1 410×785 μm2,电源电压为3.4V.仿真结果显示:功率增益大于30.1 dB、1 dB压缩点输出功率为31.2 dB·m,在Band 38 (2 570 ～2 620) MHz内,输入回波损耗S11小于-15 dB,S21大于30.1 dB,输出回波损耗S22低于-25 dB,1 dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6％.
基于WIN InGaP/GaAs HBT工藝,設計瞭一款應用于LTE移動終耑的射頻功率放大器.工作在AB類偏置狀態,由三級放大電路級聯構成,併帶有溫度補償和線性化的偏置電路.芯片版圖麵積為1 410×785 μm2,電源電壓為3.4V.倣真結果顯示:功率增益大于30.1 dB、1 dB壓縮點輸齣功率為31.2 dB·m,在Band 38 (2 570 ～2 620) MHz內,輸入迴波損耗S11小于-15 dB,S21大于30.1 dB,輸齣迴波損耗S22低于-25 dB,1 dB壓縮點輸齣功率的功率附加效率高達36.6％.
기우WIN InGaP/GaAs HBT공예,설계료일관응용우LTE이동종단적사빈공솔방대기.공작재AB류편치상태,유삼급방대전로급련구성,병대유온도보상화선성화적편치전로.심편판도면적위1 410×785 μm2,전원전압위3.4V.방진결과현시:공솔증익대우30.1 dB、1 dB압축점수출공솔위31.2 dB·m,재Band 38 (2 570 ～2 620) MHz내,수입회파손모S11소우-15 dB,S21대우30.1 dB,수출회파손모S22저우-25 dB,1 dB압축점수출공솔적공솔부가효솔고체36.6％.
