0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究
0.18μm SOI NMOS단입자효응중전하루적궤리적방진연구
Simulation and Research of the Mechanism for Charge Collection of SEU in 0.18 μm SOI NMOS
  • 万方数据
    科学技术与工程 과학기술여공정
    SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
    2013年 21期 6200-6202,6224 ,共4页

    邱恒功%李洛宇%裴国旭%杜明

    구항공%리락우%배국욱%두명

    SOI NMOS%电荷积累%单粒子翻转 SOI NMOS%電荷積纍%單粒子翻轉
    SOI NMOS%전하적루%단입자번전
    SOI NMOS%charge collection%SEU
    为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究.仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起；而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积.第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响.
    위연구0.18μm SOI공예집성전로단입자입사시전하루적적궤리,분별대전용화NMOS진행료단입자입사적방진연구.방진결과표명,단입자입사시,MOS전용중적전하루적주요유위이전류인기；이재SOI NMOS중적전하루적환유제이충궤제,즉당단입자입사위치재체루결부근시,루겁화체접촉산생적전하루적.제이충궤제회대SOI공예집성전로적단입자가고방법산생중요영향.
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