固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
4期
389-393,404
,共6页
发光二极管驱动芯片%电流自动可调%过温保护%低功耗
髮光二極管驅動芯片%電流自動可調%過溫保護%低功耗
발광이겁관구동심편%전류자동가조%과온보호%저공모
Key words : LED drive chip%automatically adjustable current%overtemperature protection%low power
基于CSMC 0.5 μm混合信号工艺,设计了一款电流自动可调的LED驱动芯片.该芯片是根据PN结电压的负温度系数特性,以及CMOS管处在深三极管区时的线性特性来设计的.测试结果显示:当芯片温度未达到过温保护点80℃时,芯片可实现电流在0～1.25 A范围内任意值恒定输出;当温度达到过温保护点时,电流随芯片温度的上升按反比例函数的趋势降低.当芯片输出电流为350 mA时,外加在功率CMOS管源漏两端的电压VSEN可低至0.1V,功耗可低至93.5 mW.
基于CSMC 0.5 μm混閤信號工藝,設計瞭一款電流自動可調的LED驅動芯片.該芯片是根據PN結電壓的負溫度繫數特性,以及CMOS管處在深三極管區時的線性特性來設計的.測試結果顯示:噹芯片溫度未達到過溫保護點80℃時,芯片可實現電流在0～1.25 A範圍內任意值恆定輸齣;噹溫度達到過溫保護點時,電流隨芯片溫度的上升按反比例函數的趨勢降低.噹芯片輸齣電流為350 mA時,外加在功率CMOS管源漏兩耑的電壓VSEN可低至0.1V,功耗可低至93.5 mW.
기우CSMC 0.5 μm혼합신호공예,설계료일관전류자동가조적LED구동심편.해심편시근거PN결전압적부온도계수특성,이급CMOS관처재심삼겁관구시적선성특성래설계적.측시결과현시:당심편온도미체도과온보호점80℃시,심편가실현전류재0～1.25 A범위내임의치항정수출;당온도체도과온보호점시,전류수심편온도적상승안반비례함수적추세강저.당심편수출전류위350 mA시,외가재공솔CMOS관원루량단적전압VSEN가저지0.1V,공모가저지93.5 mW.
