固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
4期
371-376
,共6页
陈铖颖%黑勇%范军%胡晓宇%戴澜
陳鋮穎%黑勇%範軍%鬍曉宇%戴瀾
진성영%흑용%범군%호효우%대란
热电堆%斩波%放大器%调制器
熱電堆%斬波%放大器%調製器
열전퇴%참파%방대기%조제기
thermopile%chopper%amplifier%modulator
设计了一款基于斩波技术的热电堆读出电路.读出电路包括前端放大器和2阶1 bit量化Sigma-Delta 调制器,其中前端放大器采用闭环结构,保证了不同温度下的增益稳定性;此外,在前端放大器和2阶1 bit SigmaDelta调制器中同时引入斩波技术,降低低频噪声和失调电压的影响,实现了较高的检测精度.读出电路采用SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺实现,测试表明,在电源电压3.3V、1 Hz输入信号和3 kHz时钟频率下,信噪失真比(SNDR)55.4 dB,有效位数(ENOB)达到8.92 bit,在-20～85℃温度范围内,可检测约0.2℃的温度变化.
設計瞭一款基于斬波技術的熱電堆讀齣電路.讀齣電路包括前耑放大器和2階1 bit量化Sigma-Delta 調製器,其中前耑放大器採用閉環結構,保證瞭不同溫度下的增益穩定性;此外,在前耑放大器和2階1 bit SigmaDelta調製器中同時引入斬波技術,降低低頻譟聲和失調電壓的影響,實現瞭較高的檢測精度.讀齣電路採用SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS工藝實現,測試錶明,在電源電壓3.3V、1 Hz輸入信號和3 kHz時鐘頻率下,信譟失真比(SNDR)55.4 dB,有效位數(ENOB)達到8.92 bit,在-20～85℃溫度範圍內,可檢測約0.2℃的溫度變化.
설계료일관기우참파기술적열전퇴독출전로.독출전로포괄전단방대기화2계1 bit양화Sigma-Delta 조제기,기중전단방대기채용폐배결구,보증료불동온도하적증익은정성;차외,재전단방대기화2계1 bit SigmaDelta조제기중동시인입참파기술,강저저빈조성화실조전압적영향,실현료교고적검측정도.독출전로채용SMIC 0.18 μm 1P6M CMOS공예실현,측시표명,재전원전압3.3V、1 Hz수입신호화3 kHz시종빈솔하,신조실진비(SNDR)55.4 dB,유효위수(ENOB)체도8.92 bit,재-20～85℃온도범위내,가검측약0.2℃적온도변화.
