固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2013年
4期
312-316
,共5页
倪金玉%李忠辉%孔岑%周建军%陈堂胜%郁鑫鑫
倪金玉%李忠輝%孔岑%週建軍%陳堂勝%鬱鑫鑫
예금옥%리충휘%공잠%주건군%진당성%욱흠흠
硅基氮化镓%寄生导电层%氮化镓高电子迁移率晶体管
硅基氮化鎵%寄生導電層%氮化鎵高電子遷移率晶體管
규기담화가%기생도전층%담화가고전자천이솔정체관
Si-based GaN%parasitic conductive layer%GaN HEMT
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象.研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响.通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320 V的Si基GaN HEMT功率电子器件.
通過對Si基GaN材料的電學性能進行測量分析,確認瞭該材料體繫所特有的寄生導電層現象.研究瞭寄生導電層對Si基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)微波功率性能和擊穿性能的不良影響.通過材料生長工藝的優化,降低瞭寄生導電層的導電性,穫得瞭擊穿電壓超過320 V的Si基GaN HEMT功率電子器件.
통과대Si기GaN재료적전학성능진행측량분석,학인료해재료체계소특유적기생도전층현상.연구료기생도전층대Si기GaN고전자천이솔정체관(HEMT)미파공솔성능화격천성능적불량영향.통과재료생장공예적우화,강저료기생도전층적도전성,획득료격천전압초과320 V적Si기GaN HEMT공솔전자기건.
