液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2014年
5期
692-696
,共5页
马超%胡煜峰%李剑焘%侯延冰%娄志东%邓振波
馬超%鬍煜峰%李劍燾%侯延冰%婁誌東%鄧振波
마초%호욱봉%리검도%후연빙%루지동%산진파
磁阻效应%激子分离%激子-电荷作用%系间窜越
磁阻效應%激子分離%激子-電荷作用%繫間竄越
자조효응%격자분리%격자-전하작용%계간찬월
magnetoresistance%excitons Dissociation%exciton-charge reaction%hyperfine intersystem crossing
对poly(3-hexylthiophene) (P3HT)光伏器件产生正、负向磁场效应的原因进行了研究.制作了不同活性层厚度的光伏器件,光电流的磁场效应对厚度的依赖非常明显:在活性层厚度为44 nm时,有2.8％的正效应;当活性层厚度提高为105 nm时,磁场效应变为负值(-5.2％).为了研究产生这种效应的原因,制备了1-(3-methyloxycarbonyl) propyl-1-phenyl[6,6] C61(PCBM)与P3HT共混的器件.在共混器件中,磁场效应随着PCBM比例的提升而逐渐下降直至湮灭且磁场效应不再随活性层厚度发生变化.磁场效应的产生源于磁场可以调控单线态和三线态激子的比例,进而调节单线态激子主导的激子分离作用和三线态激子主导的激子电荷分离作用.实验结果显示出在纯P3HT光伏器件中,当PCBM加入到活性层中时,大量激子在给受体界面处分离成为自由载流子,单线态和三线态激子都可以高效地通过激子分离使光电流增强,激子比例不再影响光电流大小,所以磁场效应逐渐消失且对活性层厚度失去依赖.
對poly(3-hexylthiophene) (P3HT)光伏器件產生正、負嚮磁場效應的原因進行瞭研究.製作瞭不同活性層厚度的光伏器件,光電流的磁場效應對厚度的依賴非常明顯:在活性層厚度為44 nm時,有2.8％的正效應;噹活性層厚度提高為105 nm時,磁場效應變為負值(-5.2％).為瞭研究產生這種效應的原因,製備瞭1-(3-methyloxycarbonyl) propyl-1-phenyl[6,6] C61(PCBM)與P3HT共混的器件.在共混器件中,磁場效應隨著PCBM比例的提升而逐漸下降直至湮滅且磁場效應不再隨活性層厚度髮生變化.磁場效應的產生源于磁場可以調控單線態和三線態激子的比例,進而調節單線態激子主導的激子分離作用和三線態激子主導的激子電荷分離作用.實驗結果顯示齣在純P3HT光伏器件中,噹PCBM加入到活性層中時,大量激子在給受體界麵處分離成為自由載流子,單線態和三線態激子都可以高效地通過激子分離使光電流增彊,激子比例不再影響光電流大小,所以磁場效應逐漸消失且對活性層厚度失去依賴.
대poly(3-hexylthiophene) (P3HT)광복기건산생정、부향자장효응적원인진행료연구.제작료불동활성층후도적광복기건,광전류적자장효응대후도적의뢰비상명현:재활성층후도위44 nm시,유2.8％적정효응;당활성층후도제고위105 nm시,자장효응변위부치(-5.2％).위료연구산생저충효응적원인,제비료1-(3-methyloxycarbonyl) propyl-1-phenyl[6,6] C61(PCBM)여P3HT공혼적기건.재공혼기건중,자장효응수착PCBM비례적제승이축점하강직지인멸차자장효응불재수활성층후도발생변화.자장효응적산생원우자장가이조공단선태화삼선태격자적비례,진이조절단선태격자주도적격자분리작용화삼선태격자주도적격자전하분리작용.실험결과현시출재순P3HT광복기건중,당PCBM가입도활성층중시,대량격자재급수체계면처분리성위자유재류자,단선태화삼선태격자도가이고효지통과격자분리사광전류증강,격자비례불재영향광전류대소,소이자장효응축점소실차대활성층후도실거의뢰.
