粉末冶金技术
粉末冶金技術
분말야금기술
POWDER METALLURGY TECHNOLOGY
2014年
4期
248-253
,共6页
高鹏%贾成厂%曹文斌%崔照雯%常宇宏%刘建金%王聪聪
高鵬%賈成廠%曹文斌%崔照雯%常宇宏%劉建金%王聰聰
고붕%가성엄%조문빈%최조문%상우굉%류건금%왕총총
AlN-SiC复合陶瓷,氮化铝%纳米碳化硅%SPS%介电损耗
AlN-SiC複閤陶瓷,氮化鋁%納米碳化硅%SPS%介電損耗
AlN-SiC복합도자,담화려%납미탄화규%SPS%개전손모
AlN-SiC composites%aluminum nitride%nano silicon carbide%SPS%dielectric loss
以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91％以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30％～40％(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低.
以氮化鋁和納米碳化硅為原料,無燒結助劑,1 600 ℃下保溫5 min,放電等離子燒結(以下簡稱SPS),製備瞭AlN-SiC複閤陶瓷.利用掃描電鏡,能譜分析儀,XRD,安捷倫4284A LRC阻抗分析儀等對其緻密度,顯微結構,錶麵成分,生成的主要物相,介電損耗和介電性能進行分析.結果錶明,AlN-SiC複閤陶瓷的緻密度在91％以上,物相主要有作為原料的AlN和β-SiC,以及燒結之後生成的2H-SiC和Fe5 Si3;隨著SiC含量的增加,材料的介電損耗,介電常數相應增加;SiC含量在30％～40％(質量分數,下同)之間,1 MHz以下的損耗角正切tanδ≥0.3,錶明納米SiC具有較彊的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介電常數和介電損耗隨著頻率的增加而降低.
이담화려화납미탄화규위원료,무소결조제,1 600 ℃하보온5 min,방전등리자소결(이하간칭SPS),제비료AlN-SiC복합도자.이용소묘전경,능보분석의,XRD,안첩륜4284A LRC조항분석의등대기치밀도,현미결구,표면성분,생성적주요물상,개전손모화개전성능진행분석.결과표명,AlN-SiC복합도자적치밀도재91％이상,물상주요유작위원료적AlN화β-SiC,이급소결지후생성적2H-SiC화Fe5 Si3;수착SiC함량적증가,재료적개전손모,개전상수상응증가;SiC함량재30％～40％(질량분수,하동)지간,1 MHz이하적손모각정절tanδ≥0.3,표명납미SiC구유교강적흡파성능.상동함량적탄화규,재료적개전상수화개전손모수착빈솔적증가이강저.
