电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2014年
7期
40-43
,共4页
吴建伟%谢儒彬%顾祥%刘国柱
吳建偉%謝儒彬%顧祥%劉國柱
오건위%사유빈%고상%류국주
SOI%抗总剂量辐射加固%栅氧%可靠性%TDDB
SOI%抗總劑量輻射加固%柵氧%可靠性%TDDB
SOI%항총제량복사가고%책양%가고성%TDDB
SOI%radiation-hardened%gate oxide%reliability%TDDB
对抗辐射SOI器件栅氧可靠性进行研究，比较了体硅器件、SOI器件、抗总剂量加固SOI器件的栅氧可靠性，发现SOI材料片的制备与抗总剂量加固过程中的离子注入工艺都会对顶层硅膜造成影响，进而影响栅氧可靠性。最后通过恒压应力法表征栅氧介质随时间击穿（TDDB）的可靠性，结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5 nm栅氧在125℃高温5.5 V工作电压下TDDB寿命达到14.65年，满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。
對抗輻射SOI器件柵氧可靠性進行研究，比較瞭體硅器件、SOI器件、抗總劑量加固SOI器件的柵氧可靠性，髮現SOI材料片的製備與抗總劑量加固過程中的離子註入工藝都會對頂層硅膜造成影響，進而影響柵氧可靠性。最後通過恆壓應力法錶徵柵氧介質隨時間擊穿（TDDB）的可靠性，結果顯示抗總劑量輻射加固工藝的12.5 nm柵氧在125℃高溫5.5 V工作電壓下TDDB壽命達到14.65年，滿足SOI抗總劑量輻射加固工藝對柵氧可靠性的需求。
대항복사SOI기건책양가고성진행연구，비교료체규기건、SOI기건、항총제량가고SOI기건적책양가고성，발현SOI재료편적제비여항총제량가고과정중적리자주입공예도회대정층규막조성영향，진이영향책양가고성。최후통과항압응역법표정책양개질수시간격천（TDDB）적가고성，결과현시항총제량복사가고공예적12.5 nm책양재125℃고온5.5 V공작전압하TDDB수명체도14.65년，만족SOI항총제량복사가고공예대책양가고성적수구。
The paper focused on the radiation-hard SOI technology gate oxide reliability. Compared the gate oxide reliability of Si, SOI and radiation-hardened SOI. Found that the the process of ion-implant during the preparation of SOI and radiation-hard could affect the quality of the top-Si in SOI. So that, reducing the gate oxide reliability. The constant-voltage stressing test was applied to estimate time-dependent dielectric breakdown life of gate oxide with radiation-hard process. The life of 12.5 nm gate oxide with radiation-hard process is about 14.65 years under 125℃high-temperature and 5.5 V work conditions. It can meet the requirement in the SOI radiation-hard technology.
